直流溅射法快速制备YBCO高温超导薄膜的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 超导简介 | 第10-11页 |
| 1.2 超导理论 | 第11-12页 |
| 1.3 高温超导的发展 | 第12-14页 |
| 1.4 高温超导的应用 | 第14-15页 |
| 1.4.1 强电应用 | 第14-15页 |
| 1.4.2 弱电应用 | 第15页 |
| 1.5 高温超导的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.6 选题依据和研究方案 | 第17-19页 |
| 第二章 溅射原理和薄膜表征方法 | 第19-25页 |
| 2.1 溅射原理 | 第19页 |
| 2.2 薄膜表征方法 | 第19-25页 |
| 2.2.1 表征薄膜晶体结构方法——X射线衍射仪 | 第19-22页 |
| 2.2.2 临界电流密度的表征 | 第22-23页 |
| 2.2.3 膜厚测试仪 | 第23页 |
| 2.2.4 电子扫描显微镜 | 第23-25页 |
| 第三章 多工位盒型靶直流溅射镀膜系统 | 第25-31页 |
| 3.1 多工位盒型靶直流溅射镀膜系统结构 | 第25-27页 |
| 3.2 多工位盒型靶直流溅射镀膜系统优点 | 第27-30页 |
| 3.2.1 盒型靶与平面靶 | 第27页 |
| 3.2.3 独特的驱动方式-基片公转结合自转 | 第27-30页 |
| 3.3 小结 | 第30-31页 |
| 第四章 薄膜分布的均匀性 | 第31-54页 |
| 4.1 多工位盒型靶溅射系统镀膜的膜厚分布模拟 | 第31-33页 |
| 4.1.1 膜厚均匀性的物理模型 | 第31-32页 |
| 4.1.2 膜厚均匀性的数学模型 | 第32-33页 |
| 4.2 膜厚均匀性的计算方法和数学仿真 | 第33-42页 |
| 4.2.1 计算的简化与端.等效 | 第33-36页 |
| 4.2.2 静态下膜厚的分布 | 第36-38页 |
| 4.2.3 动态下膜厚的分布 | 第38-42页 |
| 4.3 膜厚均匀性的分析 | 第42-46页 |
| 4.3.1 靶基距对膜厚分布的影响 | 第42-44页 |
| 4.3.2 压强对膜厚分布的影响 | 第44页 |
| 4.3.3 基片公转与自转速度比对膜厚分布的影响 | 第44-46页 |
| 4.4 膜厚均匀性的进一步提高 | 第46-50页 |
| 4.4.1 膜厚补偿挡片 | 第46-47页 |
| 4.4.2 中心错位法 | 第47-49页 |
| 4.4.3 两种方法的比较 | 第49-50页 |
| 4.5 靶形状的设计 | 第50-53页 |
| 4.6 小结 | 第53-54页 |
| 第五章 高质量YBCO超导薄膜的制备 | 第54-63页 |
| 5.1 基片运动的影响 | 第54-56页 |
| 5.1.1 公转速度的影响 | 第54-55页 |
| 5.1.2 基片自转的影响 | 第55-56页 |
| 5.2 温度的影响 | 第56-57页 |
| 5.2.1 温度对薄膜沉积速率的影响 | 第56页 |
| 5.2.2 温度对晶体生长的影响 | 第56-57页 |
| 5.3 膜厚的影响 | 第57-59页 |
| 5.3.1 膜厚对薄膜结构的影响 | 第57-58页 |
| 5.3.2 自外延层对薄膜结构的影响 | 第58-59页 |
| 5.4 阶梯式退火的作用 | 第59页 |
| 5.5 较低气压下的沉积 | 第59-60页 |
| 5.6 MgO基片上生长YBCO | 第60-61页 |
| 5.7 小结 | 第61-63页 |
| 第六章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第71-72页 |
