| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 非晶硅薄膜研究现状和发展趋势 | 第10-11页 |
| 1.2 PECVD工艺装备背景 | 第11-13页 |
| 1.3 论文研究的主要内容和结构 | 第13-15页 |
| 第二章 非晶硅薄膜的基本性质以及相关研究手段 | 第15-22页 |
| 2.1 非晶硅薄膜的基本性质 | 第15-16页 |
| 2.2 PECVD沉积非晶硅薄膜基本原理 | 第16-18页 |
| 2.3 薄膜制备和测试方法 | 第18-21页 |
| 2.3.1 薄膜沉积设备PECVD | 第18页 |
| 2.3.2 傅里叶红外光谱仪 | 第18-20页 |
| 2.3.3 膜厚测试设备台阶仪 | 第20-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 非晶硅薄膜热光系数理论研究 | 第22-33页 |
| 3.1 热光系数简介 | 第22页 |
| 3.2 非晶硅热光系数的单振子模型分析 | 第22-26页 |
| 3.2.1 非晶硅单振子模型简介 | 第22-23页 |
| 3.2.2 单振子模型下非晶硅的热光系数公式 | 第23-24页 |
| 3.2.3 非晶硅单振子模型下各参数仿真和分析 | 第24-26页 |
| 3.3 氢含量对非晶硅热光系数的影响 | 第26-32页 |
| 3.3.1 低氢含量下非晶硅热光系数的建模仿真与分析 | 第27-30页 |
| 3.3.2 高氢含量下非晶硅热光系数的建模仿真与分析 | 第30-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 制备工艺对非晶硅薄膜红外响应特性影响研究 | 第33-41页 |
| 4.1 非晶硅薄膜红外响应特性 | 第33-34页 |
| 4.2 实验设计与结果分析 | 第34-39页 |
| 4.2.1 实验设计 | 第34-35页 |
| 4.2.2 射频功率对非晶硅薄膜红外响应特性的影响 | 第35-37页 |
| 4.2.3 基片温度对非晶硅薄膜红外响应特性的影响 | 第37-38页 |
| 4.2.4 沉积压强对非晶硅薄膜红外响应特性的影响 | 第38-39页 |
| 4.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第五章 利用气流场模型对制备非晶硅薄膜的厚度均匀性的研究 | 第41-56页 |
| 5.1 非晶硅薄膜厚度均匀性对可调谐F-P薄膜滤波器性能的影响 | 第41-43页 |
| 5.2 PECVD反应室的气流场模拟分析 | 第43-50页 |
| 5.2.1 流体动力学仿真软件Fluent | 第43-44页 |
| 5.2.2 建立PECVD反应室模型 | 第44-47页 |
| 5.2.3 进气速度对气流场均匀性的影响 | 第47-49页 |
| 5.2.4 极板间距对气流场均匀性的影响 | 第49-50页 |
| 5.3 实验设计与结果分析 | 第50-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第六章 总结 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第62-63页 |
