| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第8页 |
| 1.2 碳化硅及化学机械抛光技术简介 | 第8-10页 |
| 1.2.1 碳化硅简介 | 第8-9页 |
| 1.2.2 化学机械抛光技术简介 | 第9-10页 |
| 1.3 SiC 摩擦磨损机理的研究进展 | 第10-12页 |
| 1.4 磨料和力学等因素影响 SiC 的 CMP 行为的研究进展 | 第12-14页 |
| 1.4.1 磨料种类的影响 | 第12-13页 |
| 1.4.2 力学等因素的影响 | 第13-14页 |
| 1.5 SiC 的 CMP 抛光过程中的化学作用研究 | 第14-18页 |
| 1.5.1 抛光液 pH 的影响 | 第14-15页 |
| 1.5.2 氧化剂种类的影响 | 第15页 |
| 1.5.3 等离子和电化学等作用的影响 | 第15-18页 |
| 1.6 国内外研究现状分析 | 第18页 |
| 1.7 本课题的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 实验材料及研究方法 | 第20-24页 |
| 2.1 实验药品及材料 | 第20页 |
| 2.2 实验仪器及表征方法 | 第20-21页 |
| 2.3 实验方法 | 第21-24页 |
| 2.3.1 SiC 单晶的清洗 | 第21页 |
| 2.3.2 AFM 针尖表征及胶体探针的制备 | 第21-22页 |
| 2.3.3 针尖及悬臂所加载荷的确定 | 第22-23页 |
| 2.3.4 AFM 微区扫描位置的确定 | 第23-24页 |
| 第3章 介质影响 SiC 单晶 CMP 行为的 AFM 模拟研究 | 第24-40页 |
| 3.1 空气中 SiC 单晶 CMP 行为的 AFM 微区模拟研究 | 第24-26页 |
| 3.1.1 AFM 针尖作为模拟磨料 | 第24-25页 |
| 3.1.2 二氧化硅微球作为模拟磨料 | 第25-26页 |
| 3.2 水中 SiC 单晶 CMP 行为的 AFM 微区模拟研究 | 第26-29页 |
| 3.2.1 AFM 针尖作为模拟磨料 | 第27页 |
| 3.2.2 二氧化硅微球作为模拟磨料 | 第27-29页 |
| 3.3 KMnO_4溶液中 SiC 单晶 CMP 行为的 AFM 微区模拟研究 | 第29-31页 |
| 3.3.1 AFM 针尖作为模拟磨料 | 第29-30页 |
| 3.3.2 二氧化硅微球作为模拟磨料 | 第30-31页 |
| 3.4 介质和模拟磨料对材料去除速率的影响分析 | 第31-33页 |
| 3.5 刻划后 SiC 单晶表面台阶形态变化的分析讨论 | 第33-35页 |
| 3.6 SiC 表面的 XPS 表征测试 | 第35-38页 |
| 3.7 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 高锰酸钾溶液中影响 SiC 单晶 CMP 行为的因素的 AFM 模拟研究 | 第40-61页 |
| 4.1 刻划时间影响 SiC 单晶 CMP 行为的 AFM 模拟研究 | 第40-46页 |
| 4.2 载荷影响 SiC 单晶 CMP 行为的 AFM 模拟研究 | 第46-50页 |
| 4.3 溶液浓度影响 SiC 单晶 CMP 行为的 AFM 模拟研究 | 第50-55页 |
| 4.4 溶液 pH 影响 SiC 单晶 CMP 行为的 AFM 模拟研究 | 第55-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第5章 高锰酸钾溶液中 Pt 模拟磨料影响 SiC 单晶 CMP 行为的研究 | 第61-66页 |
| 5.1 Pt 微球的制备 | 第61-62页 |
| 5.2 Pt 微球模拟磨料影响 SiC 单晶 CMP 行为的 AFM 模拟研究 | 第62-64页 |
| 5.3 Pt 微球模拟磨料影响 SiC 单晶 CMP 行为的机理探讨 | 第64-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
