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2D半导体阵列在调强验证中的应用研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第8-16页
    1.1 放射治疗的发展历史第8-9页
    1.2 适形放射治疗和调强放射治疗第9-11页
    1.3 放射治疗的质量控制(QC)和质量保证(QA)第11-15页
    1.4 本文的研究内容、研究目的及意义第15-16页
2 放射物理基础研究第16-33页
    2.1 原子结构第16页
    2.2 原子能级第16页
    2.3 带电粒子与物质的相互作用第16-19页
    2.4 射程第19-20页
    2.5 指数衰减规律第20-21页
    2.6 X(γ)射线与物质的相互作用第21-27页
    2.7 相干散射第27-28页
    2.8 光核反应第28页
    2.9 各种相互作用的总系数和相对重要性第28-30页
    2.10 各种相互作用的相对重要性第30-33页
3 直线加速器组成及外挂多叶光栅第33-40页
    3.1 直线加速器的发展过程第33-34页
    3.2 医用直线加速器组成第34-40页
4 调强(IMRT)以及调强算法研究第40-46页
    4.1 调强适形放射治疗历史的发展第40-42页
    4.2 调强的实现方式第42-44页
    4.3 调强算法简介第44-46页
5 静态调强与动态调强技术比较第46-54页
    5.1 治疗计划系统分析第46-48页
    5.2 静态调强与动态调强的实现方法第48-50页
    5.3 计算结果优劣对比第50-54页
6 2D 半导体阵列用于调强放疗的剂量验证第54-65页
    6.1 常规绝对剂量的测量与验证方法第54-55页
    6.2 用 2D 半导体阵列做调强相对剂量的测量与验证第55-59页
    6.3 2D 半导体阵列验证调强绝对剂量的方法第59-64页
    6.4 结论与展望第64-65页
参考文献第65-68页
致谢第68-69页
个人简历第69页

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