摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-17页 |
1.1 低噪声放大器研究进展 | 第9-12页 |
1.1.1 GaN 基低噪声放大器的引入 | 第9-10页 |
1.1.2 低噪声放大器研究进展 | 第10-12页 |
1.2 电平转换电路研究进展 | 第12-16页 |
1.2.1 GaN 基电平转换电路的引入 | 第12-14页 |
1.2.2 电平转换电路现有技术进展 | 第14-16页 |
1.3 论文的主要内容 | 第16-17页 |
第二章 AlGaN/GaN HEMT 器件基础 | 第17-29页 |
2.1 AlGaN/GaN HEMT 器件基础 | 第17-21页 |
2.1.1 AlGaN/GaN 异质结与二维电子气的形成 | 第17-18页 |
2.1.2 AlGaN/GaN HEMT 器件与 HEMT 器件工艺 | 第18-21页 |
2.2 GaN 基增强型器件与实现工艺 | 第21-23页 |
2.3 AlGaN/GaN HEMT 器件小信号等效电路模型 | 第23-27页 |
2.3.1 常见的几种有源器件模型 | 第23页 |
2.3.2 HEMT 器件小信号模型建立 | 第23-24页 |
2.3.3 参数提取方法 | 第24-27页 |
2.4 HEMT 器件的噪声模型 | 第27-28页 |
2.5 小结 | 第28-29页 |
第三章 GaN 基 MMIC 无源器件与平面螺旋电感设计 | 第29-41页 |
3.1 GaN 基 MMIC 中的无源器件 | 第29-33页 |
3.1.1 微带线 | 第29-30页 |
3.1.2 背孔 | 第30页 |
3.1.3 薄膜电阻 | 第30-31页 |
3.1.4 MIM 电容 | 第31页 |
3.1.5 平面螺旋电感 | 第31-33页 |
3.2 GaN 基 MMIC 平面螺旋电感模型与损耗分析 | 第33-35页 |
3.3 GaN 基 MMIC 平面螺旋电感设计 | 第35-39页 |
3.4 小结 | 第39-41页 |
第四章 GaN 基 X 波段低噪声放大器设计 | 第41-61页 |
4.1 低噪声放大器理论基础 | 第41-50页 |
4.1.1 二端口网络理论 | 第41-43页 |
4.1.2 噪声理论 | 第43-46页 |
4.1.3 电路稳定性分析 | 第46-47页 |
4.1.4 阻抗匹配 | 第47-48页 |
4.1.5 低噪声放大器主要设计指标 | 第48-49页 |
4.1.6 本设计 X 波段低噪声放大器指标 | 第49-50页 |
4.2 GaN 基 X 波段低噪声放大器前仿真 | 第50-57页 |
4.2.1 拓扑结构的确定 | 第50-51页 |
4.2.2 偏置网络 | 第51-52页 |
4.2.3 源极负反馈 | 第52-53页 |
4.2.4 匹配网络 | 第53-54页 |
4.2.5 射频信号的隔离与旁路 | 第54页 |
4.2.6 电路调参与前仿真 | 第54-56页 |
4.2.7 使用平面螺旋电感的原理图仿真 | 第56-57页 |
4.3 GaN 基 X 波段低噪声放大器版图实现与后仿真 | 第57-59页 |
4.4 小结 | 第59-61页 |
第五章 GaN 基 E/D 模电平转换电路设计 | 第61-73页 |
5.1 GaN 基 E/D 模电平转换电路设计 | 第61-63页 |
5.2 GaN 基 E/D 模电平转换电路特性仿真与优化 | 第63-66页 |
5.2.1 纯电阻负载 | 第63-65页 |
5.2.2 电流源负载 | 第65-66页 |
5.2.3 电容负载 | 第66页 |
5.3 限幅保护电路的设计 | 第66-68页 |
5.3.1 限幅保护电路的结构与工作原理 | 第66-67页 |
5.3.2 限幅电路的仿真分析 | 第67-68页 |
5.4 GaN 基 E/D 模电平转换电路版图设计 | 第68-70页 |
5.4.1 GaN 基器件的版图 | 第68-69页 |
5.4.2 GaN 基反相器的版图 | 第69页 |
5.4.3 GaN 基肖特基二极管的版图 | 第69-70页 |
5.4.4 电平转换电路总体版图设计 | 第70页 |
5.5 小结 | 第70-73页 |
第六章 结束语 | 第73-75页 |
致谢 | 第75-77页 |
参考文献 | 第77-81页 |
研究成果 | 第81-82页 |