| Content | 第7-10页 |
| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-28页 |
| 1.1 传统非挥发存储技术 | 第14-18页 |
| 1.1.1 浮栅Flash存储技术基本现状和发展瓶颈 | 第14-16页 |
| 1.1.2 传统浮栅存储器的改进方案 | 第16-18页 |
| 1.2 新型非挥发存储技术 | 第18-22页 |
| 1.2.1 相变存储器(PCM) | 第18-19页 |
| 1.2.2 铁电随机存取存储器 | 第19-20页 |
| 1.2.3 磁阻存储器 | 第20-21页 |
| 1.2.4 阻变存储器 | 第21-22页 |
| 1.3 选题动机及研究主题 | 第22-24页 |
| 1.3.1 选题动机 | 第22-23页 |
| 1.3.2 研究主题 | 第23-24页 |
| 1.4 参考文献 | 第24-28页 |
| 第二章 ReRAM概述及测试系统 | 第28-50页 |
| 2.1 ReRAM的材料体系 | 第28-31页 |
| 2.1.1 固态电解液材料 | 第28-29页 |
| 2.1.2 二元金属氧化物材料 | 第29-30页 |
| 2.1.3 有机材料 | 第30-31页 |
| 2.2 ReRAM性能指标 | 第31-34页 |
| 2.2.1 操作电压 | 第31页 |
| 2.2.2 存储窗口和开关速度 | 第31-32页 |
| 2.2.3 耐久性与数据保持特性 | 第32-33页 |
| 2.2.4 均一性 | 第33页 |
| 2.2.5 多值存储 | 第33-34页 |
| 2.2.6 器件缩小特性 | 第34页 |
| 2.3 ReRAM集成结构 | 第34-36页 |
| 2.3.1 有源阵列 | 第34-35页 |
| 2.3.2 无源阵列 | 第35-36页 |
| 2.4 ReRAM阻变机理 | 第36-40页 |
| 2.4.1 导电细丝类型 | 第36-37页 |
| 2.4.2 界面调制类型 | 第37-39页 |
| 2.4.3 缺陷能级效应 | 第39-40页 |
| 2.5 阵列测试系统 | 第40-44页 |
| 2.5.1 系统总体结构和功能 | 第40-41页 |
| 2.5.2 硬件连接 | 第41-43页 |
| 2.5.3 软件控制 | 第43页 |
| 2.5.4 测试系统的验证 | 第43-44页 |
| 2.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 2.7 参考文献 | 第45-50页 |
| 第三章 1T1R结构引发的ReRAM可靠性问题 | 第50-63页 |
| 3.1 实验样品制备 | 第50-53页 |
| 3.1.1 1Kb ReRAM阵列基础 | 第51-52页 |
| 3.1.2 基于1T1R结构的ReRAM阵列集成工艺 | 第52-53页 |
| 3.2 1T1R结构引发的可靠性问题 | 第53-57页 |
| 3.2.1 1T1R结构编程时对不同类型ReRAM的影响 | 第53-54页 |
| 3.2.2 1T1R结构对阵列编程成功率的影响 | 第54-55页 |
| 3.2.3 1T1R结构对多值存储的影响 | 第55-57页 |
| 3.3 1T1R结构可靠性问题分析 | 第57-59页 |
| 3.4 可靠性问题的解决方案 | 第59-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 3.6 参考文献 | 第61-63页 |
| 第四章 基于1T1R结构的阻变存储器失效机理研究 | 第63-83页 |
| 4.1 实验过程 | 第63-66页 |
| 4.1.1 实验对象 | 第63-64页 |
| 4.1.2 实验设备 | 第64-65页 |
| 4.1.3 测试过程 | 第65-66页 |
| 4.2 不同循环次数下的数据保持特性 | 第66-73页 |
| 4.2.1 不同循环次数下数据保持特性测试 | 第66-69页 |
| 4.2.2 Retention失效机理的分析 | 第69-73页 |
| 4.3 不同编程模式下的数据保持特性 | 第73-78页 |
| 4.3.1 1T1R结构ReRAM的编程模式 | 第73-74页 |
| 4.3.2 不同编程模式下数据保持特性测试 | 第74-75页 |
| 4.3.3 失效机理的分析 | 第75-78页 |
| 4.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 4.5 参考文献 | 第79-83页 |
| 第五章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第83-84页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 论文和专利 | 第86-87页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第87页 |
