| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 量子点概述 | 第10-18页 |
| 1.1.1 量子点的光电特性 | 第10-14页 |
| 1.1.2 量子点的分类 | 第14-17页 |
| 1.1.3 量子点的制备方法 | 第17-18页 |
| 1.2 QLED发光原理 | 第18-20页 |
| 1.2.1 载流子的注入 | 第18页 |
| 1.2.2 载流子的传输 | 第18-19页 |
| 1.2.3 量子点中激子的形成及复合过程 | 第19-20页 |
| 1.3 QLED的发展现状 | 第20-23页 |
| 1.3.1 QLED结构的演变 | 第20-21页 |
| 1.3.2 新型量子点在QLED上的应用 | 第21页 |
| 1.3.3 量子点在光电领域的应用 | 第21-23页 |
| 1.4 本论文选题依据及研究内容 | 第23-25页 |
| 1.4.1 论文选题依据 | 第23-24页 |
| 1.4.2 论文主要内容 | 第24-25页 |
| 第二章 实验原理与方法 | 第25-28页 |
| 2.1 制备工艺介绍 | 第25-26页 |
| 2.1.1 旋涂制膜法 | 第25-26页 |
| 2.1.2 电阻蒸发镀膜法 | 第26页 |
| 2.2 测试方法 | 第26-28页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第27页 |
| 2.2.3 X射线能谱仪 | 第27页 |
| 2.2.4 光致发光谱 | 第27页 |
| 2.2.5 OLED亮度、电流电压测试设备 | 第27-28页 |
| 第三章 溶液法制备全无机载流子传输层QLED | 第28-34页 |
| 3.1 实验 | 第28-29页 |
| 3.1.1 NiO前驱液配制 | 第28页 |
| 3.1.2 纳米ZnO胶体合成 | 第28-29页 |
| 3.1.3 全无机量子点发光二极管的制备 | 第29页 |
| 3.2 结果分析 | 第29-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 载流子传输层对QLED性能的影响 | 第34-45页 |
| 4.1 电子传输层对器件性能的影响 | 第34-40页 |
| 4.1.1 实验过程 | 第35-36页 |
| 4.1.2 结果分析 | 第36-40页 |
| 4.2 空穴传输层对器件性能的影响 | 第40-43页 |
| 4.2.1 空穴传输层材料特性 | 第40-41页 |
| 4.2.2 结果分析 | 第41-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 CdSeZnS成分梯度合金量子点的合成及其QLED制备 | 第45-54页 |
| 5.1 实验过程 | 第45-48页 |
| 5.1.1 CdSeZnS成分梯度合金量子点的合成 | 第45-47页 |
| 5.1.2 CdSeZnS成分梯度合金量子点QLED的制备 | 第47-48页 |
| 5.2 结果分析 | 第48-53页 |
| 5.2.1 量子点表征 | 第48-51页 |
| 5.2.2 QLED光电特性 | 第51-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结论 | 第54-56页 |
| 6.1 结论 | 第54页 |
| 6.2 工作展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第61-62页 |
