| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 纳米与分子电子学简介 | 第11-13页 |
| 1.3 纳米与分子电子器件的实验研究 | 第13-19页 |
| 1.4 纳米与分子电子器件的理论模拟 | 第19-20页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容简介 | 第20-23页 |
| 参考文献 | 第23-27页 |
| 第二章 电子结构计算和电子输运理论 | 第27-45页 |
| 2.1 引言 | 第27-28页 |
| 2.2 电子输运图像：Landauer-Buttiker理论 | 第28-32页 |
| 2.3 电子输运计算：非平衡格林函数方法 | 第32-35页 |
| 2.4 电子结构计算：密度泛函理论 | 第35-42页 |
| 2.5 非平衡格林函数方法结合密度泛函理论处理电子输运问题 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 有机分子系统：卟啉-乙炔-苯共轭分子的高效开关效应 | 第45-63页 |
| 3.1 引言 | 第45-47页 |
| 3.2 计算方法 | 第47-48页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第48-58页 |
| 3.3.1 卟啉-乙炔-苯分子结 | 第48-52页 |
| 3.3.2 官能团取代的影响 | 第52-55页 |
| 3.3.3 乙炔桥接的卟啉二苯基分子结 | 第55-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第四章 单分子磁体：Mn(dmit)_2的自旋过滤和开关效应 | 第63-76页 |
| 4.1 引言 | 第63-65页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第65-66页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第66-73页 |
| 4.3.1 电子结构研究 | 第66页 |
| 4.3.2 共面构型MnDC的自旋过滤效应 | 第66-70页 |
| 4.3.3 Mn(dmit)_2的分子开关特性 | 第70-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第五章 有缺陷的ZGNRs的反常电子输运和负微分电阻特性 | 第76-85页 |
| 5.1 引言 | 第76-77页 |
| 5.2 模型与计算方法 | 第77-78页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第78-83页 |
| 5.4 本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-85页 |
| 第六章 边缘有三角形突起的ZGNRs的Z型导电路径研究 | 第85-97页 |
| 6.1 引言 | 第85-86页 |
| 6.2 模型和计算方法 | 第86-88页 |
| 6.3 计算结果和讨论 | 第88-94页 |
| 6.3.1 边缘有突起的偶数条链4-ZGNRs的电子输运 | 第88-91页 |
| 6.3.2 边缘有突起的奇数条链5-ZGNRs的电子输运 | 第91-94页 |
| 6.4 本章小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-97页 |
| 第七章 通过有序掺杂B或N改善ZGNRs的电子输运 | 第97-109页 |
| 7.1 引言 | 第97-99页 |
| 7.2 模型和计算方法 | 第99页 |
| 7.3 结果和讨论 | 第99-106页 |
| 7.3.1 有序掺杂B或N不同浓度、位置对6-ZGNRs输运的调控 | 第99-104页 |
| 7.3.2 掺杂对7-ZGNRs输运的调控 | 第104-106页 |
| 7.4 本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-109页 |
| 第八章 总结和展望 | 第109-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及获奖和参加会议情况 | 第114-116页 |
