| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.1.2 课题研究的目的和意义 | 第10页 |
| 1.2 电子运动问题的阐述和研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.1 电子运动问题阐述 | 第10-11页 |
| 1.2.2 电子运动问题研究现状 | 第11页 |
| 1.3 MHD 和 DSMC 方法的国内外发展现状 | 第11-13页 |
| 1.3.1 MHD 方法在国内外的发展现状 | 第11-12页 |
| 1.3.2 DSMC 方法在国内外的发展现状 | 第12-13页 |
| 1.4 课题来源与主要研究内容 | 第13-15页 |
| 1.4.1 课题来源 | 第13页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 稀薄气体动力学相关理论 | 第15-24页 |
| 2.1 引言 | 第15页 |
| 2.2 分子平均自由程和流动领域的划分 | 第15-17页 |
| 2.2.1 分子平均自由程 | 第15-16页 |
| 2.2.2 流动领域的划分 | 第16-17页 |
| 2.3 二体弹性碰撞以及分子和物理表面的作用 | 第17-20页 |
| 2.3.1 动量和动能的分析 | 第17-19页 |
| 2.3.2 镜面反射与漫反射模型 | 第19-20页 |
| 2.4 分子动理论基础 | 第20-23页 |
| 2.4.1 速度分布函数 | 第20-21页 |
| 2.4.2 Maxwell 分布 | 第21-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 基本程序构架的实现 | 第24-37页 |
| 3.0 引言 | 第24页 |
| 3.1 DSMC 方法的主流程介绍 | 第24-26页 |
| 3.2 网格和时间步长的选取原则 | 第26页 |
| 3.3 碰撞的取样 | 第26-27页 |
| 3.4 物理表面的构建和验证 | 第27-36页 |
| 3.4.1 物理表面定义 | 第27-28页 |
| 3.4.2 物理表面在程序中的实现和构造 | 第28-30页 |
| 3.4.3 物体和网格相对位置分析 | 第30-31页 |
| 3.4.4 程序对比验证 | 第31-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 弱电离反应下电子运动的分析模拟 | 第37-49页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 化学反应概率的计算 | 第37-40页 |
| 4.3 电离反应的模拟 | 第40-41页 |
| 4.3.1 电离反应条件 | 第40页 |
| 4.3.2 电子能态的激发 | 第40-41页 |
| 4.4 电子运动方法对比模拟 | 第41-47页 |
| 4.4.1 电子运动方法的介绍 | 第41-43页 |
| 4.4.2 电子运动程序结构的实现 | 第43-45页 |
| 4.4.3 电子运动模拟结果对比分析 | 第45-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第5章 基于电子运动的流场及气动参数的分析 | 第49-61页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 研究区域及边界条件的设定 | 第49-50页 |
| 5.3 流场参数的设定 | 第50-51页 |
| 5.4 流场及气动参数的分析 | 第51-60页 |
| 5.4.1 不同研究高度流场性质对比 | 第51-54页 |
| 5.4.2 表面碰撞数通量的模拟 | 第54-55页 |
| 5.4.3 热传导系数的模拟 | 第55-57页 |
| 5.4.4 压力系数的模拟 | 第57-58页 |
| 5.4.5 表面摩擦系数的模拟 | 第58-60页 |
| 5.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67页 |