HIT太阳电池的制备与性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号说明 | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第11页 |
| 1.2 HIT 太阳电池的研究意义 | 第11-13页 |
| 1.3 国内外 HIT 太阳电池研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 论文的研究目标及结构安排 | 第14-15页 |
| 第二章 非晶硅薄膜制备及其表征方法 | 第15-27页 |
| 2.1 非晶硅薄膜材料制备 | 第15-18页 |
| 2.1.1 非晶硅材料基础 | 第15-16页 |
| 2.1.2 非晶硅薄膜沉积 | 第16-18页 |
| 2.2 等离子体化学气相沉积系统和实验过程 | 第18-20页 |
| 2.2.1 PECVD 设备简介 | 第18-19页 |
| 2.2.2 样品制备过程 | 第19-20页 |
| 2.3 非晶硅薄膜材料表征方法 | 第20-24页 |
| 2.3.1 薄膜厚度的测量 | 第20页 |
| 2.3.2 薄膜材料电学性能的测试 | 第20-21页 |
| 2.3.3 薄膜材料光学性能的测试 | 第21-23页 |
| 2.3.4 薄膜材料微结构的测试 | 第23-24页 |
| 2.4 太阳电池性能的测试方法 | 第24-25页 |
| 2.4.1 光态 J-V 特性测试 | 第24-25页 |
| 2.4.2 量子效率测试 | 第25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 沉积参数对 P 型非晶硅薄膜性能的影响 | 第27-45页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 硅烷浓度对 P 型非晶硅薄膜性能的影响 | 第27-31页 |
| 3.2.1 硅烷浓度对薄膜生长速率的影响 | 第28页 |
| 3.2.2 硅烷浓度对薄膜电学性能的影响 | 第28-29页 |
| 3.2.3 硅烷浓度对薄膜光学性能的影响 | 第29-30页 |
| 3.2.4 硅烷浓度对薄膜微结构的影响 | 第30-31页 |
| 3.3 硼烷浓度对 P 型非晶硅薄膜性能的影响 | 第31-35页 |
| 3.3.1 硼烷浓度对薄膜生长速率的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.2 硼烷浓度对薄膜电学性能的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.3 硼烷浓度对薄膜光学性能的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.4 硼烷浓度对薄膜微结构的影响 | 第34-35页 |
| 3.4 加热温度对 P 型非晶硅薄膜性能的影响 | 第35-39页 |
| 3.4.1 加热温度对薄膜生长速率的影响 | 第35-36页 |
| 3.4.2 加热温度对薄膜电学性能的影响 | 第36-37页 |
| 3.4.3 加热温度对薄膜光学性能的影响 | 第37-38页 |
| 3.4.4 加热温度对薄膜微结构的影响 | 第38-39页 |
| 3.5 射频功率对 P 型非晶硅薄膜性能的影响 | 第39-43页 |
| 3.5.1 射频功率对薄膜生长速率的影响 | 第39-40页 |
| 3.5.2 射频功率对薄膜电学性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.5.3 射频功率对薄膜光学性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.5.4 射频功率对薄膜微结构的影响 | 第42-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 HIT 太阳电池界面钝化的研究 | 第45-55页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 衬底清洗处理 | 第45-46页 |
| 4.3 氢等离子处理 | 第46-48页 |
| 4.4 非晶硅钝化层 | 第48-50页 |
| 4.4.1 加热温度对界面钝化的影响 | 第48-49页 |
| 4.4.2 射频功率对界面钝化的影响 | 第49页 |
| 4.4.3 沉积气压对界面钝化的影响 | 第49-50页 |
| 4.5 薄膜厚度对 HIT 太阳电池性能的影响 | 第50-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
