| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 量子点简介 | 第7-9页 |
| 1.2 应变补偿技术在 InAs/GaAs 量子点中的应用 | 第9-12页 |
| 1.3 量子点太阳电池及其发展 | 第12-15页 |
| 1.4 本文选题意义和主要内容 | 第15-17页 |
| 第2章 InAs/GaAs 量子点生长机理及应变补偿理论 | 第17-34页 |
| 2.1 InAs/GaAs 量子点的生长机理 | 第17-24页 |
| 2.1.1 晶格失配和临界厚度 | 第17-19页 |
| 2.1.2 量子点生长方法 | 第19-21页 |
| 2.1.3 外延生长 InAs/GaAs 量子点的机理 | 第21-22页 |
| 2.1.4 量子点中的态密度 | 第22-24页 |
| 2.2 应变补偿理论 | 第24-32页 |
| 2.2.1 应变和应变补偿 | 第24-26页 |
| 2.2.2 应变补偿对量子点生长影响的理论研究 | 第26-32页 |
| 2.3 小结 | 第32-34页 |
| 第3章 实验设备仪器和实验前期工作 | 第34-54页 |
| 3.1 实验仪器设备介绍 | 第34-44页 |
| 3.1.1 MOCDV 外延生长设备 | 第34-41页 |
| 3.1.2 材料表征仪器 | 第41-44页 |
| 3.2 InAs/GaAs 单层量子点的生长 | 第44-49页 |
| 3.2.1 单层量子点生长 | 第45-46页 |
| 3.2.2 单层量子点表征 | 第46-49页 |
| 3.3 GaInP 体材料的生长与表征 | 第49-52页 |
| 3.4 小结 | 第52-54页 |
| 第4章 应变补偿量子点的生长与表征 | 第54-67页 |
| 4.1 应变补偿量子点结构设计 | 第54-57页 |
| 4.1.1 常见结构 | 第54-55页 |
| 4.1.2 结构设计 | 第55-57页 |
| 4.2 应变补偿量子点的生长 | 第57-59页 |
| 4.3 应变补偿量子点的表征 | 第59-64页 |
| 4.3.1 应变补偿层生长温度的影响 | 第59-60页 |
| 4.3.2 应变补偿层厚度和组分的影响 | 第60-64页 |
| 4.4 实验结果分析 | 第64-66页 |
| 4.5 小结 | 第66-67页 |
| 第5章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 总结 | 第67-68页 |
| 5.2 存在的不足及今后的工作方向 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和研究成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
