| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 量子点简介 | 第13-18页 |
| 1.2.1 量子点的量子限制效应 | 第13-14页 |
| 1.2.2 量子点的带隙 | 第14-15页 |
| 1.2.3 量子点的分类 | 第15-16页 |
| 1.2.4 量子点的发光机理 | 第16-17页 |
| 1.2.5 量子点的应用 | 第17-18页 |
| 1.3 胶体QD-LEDs研究背景 | 第18-20页 |
| 1.3.1 胶体QD-LEDs的分类 | 第18-19页 |
| 1.3.2 胶体QD-LEDs的研究历史 | 第19-20页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 CdSe胶体量子点的制备及表征 | 第22-29页 |
| 2.1 胶体量子点制备工艺简介 | 第22-24页 |
| 2.2 CdSe胶体量子点的制备 | 第24-25页 |
| 2.3 CdSe量子点的表征 | 第25-29页 |
| 第3章 QD-LEDs的原理介绍 | 第29-36页 |
| 3.1 QD-LEDs的基本结构 | 第29-30页 |
| 3.2 QD-LEDs的工作原理 | 第30-33页 |
| 3.2.1 电荷和能量注入机制 | 第30-31页 |
| 3.2.2 FRET机制能量转移原理 | 第31-33页 |
| 3.3 有机传输层材料简介 | 第33-36页 |
| 第4章 ZnSnO作为电子传输层的单色发光QD-LEDs | 第36-55页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 射频磁控生长ZnSnO薄膜的特性 | 第37-40页 |
| 4.2.1 射频磁控溅射仪简介 | 第37-38页 |
| 4.2.2 ZnSnO薄膜的生长及表征 | 第38-40页 |
| 4.3 QD-LEDs器件的制备工艺 | 第40-44页 |
| 4.4 QD-LEDs器件的性能测试及分析 | 第44-49页 |
| 4.4.1 器件的形貌特征 | 第45-46页 |
| 4.4.2 器件的发光特性 | 第46-47页 |
| 4.4.3 器件的电学特性 | 第47-49页 |
| 4.5 器件的工作机理分析 | 第49-51页 |
| 4.6 QD-LEDs性能优化 | 第51-53页 |
| 4.7 本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 白光发光的QD-LEDs | 第55-70页 |
| 5.1 引言 | 第55-56页 |
| 5.2 CdSe量子点作为发光层的宽光谱发射的QD-LEDs器件 | 第56-63页 |
| 5.2.1 器件的发光特性 | 第56-58页 |
| 5.2.2 器件表面态发光机理的研究 | 第58-63页 |
| 5.3 CdSeS量子点作为发光层的白光发光QD-LEDs器件 | 第63-69页 |
| 5.3.1 器件的发光特性 | 第64-66页 |
| 5.3.2 器件工作机理分析 | 第66-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第6章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-81页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第81页 |
