| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 论文研究目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.1.1 研究目的 | 第9页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 压力传感器研究现状 | 第10-20页 |
| 1.2.1 纳米多晶硅压力传感器研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.2 SOI压力传感器研究现状 | 第14-20页 |
| 1.3 传感器温度补偿研究现状 | 第20-25页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 非对称基区晶体管温度补偿压力传感器基本结构与工作原理 | 第27-35页 |
| 2.1 非对称基区晶体管温度补偿压力传感器基本结构 | 第27-28页 |
| 2.2 非对称基区晶体管温度补偿压力传感器工作原理 | 第28-34页 |
| 2.2.1 压力传感器工作原理 | 第28-32页 |
| 2.2.2 非对称基区晶体管温度补偿工作原理 | 第32-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 非对称基区晶体管温度补偿压力传感器芯片结构设计 | 第35-55页 |
| 3.1 压力传感器硅膜形状仿真设计 | 第35-45页 |
| 3.1.1 ANSYS静态力学分析简介 | 第36-38页 |
| 3.1.2 压力传感器硅膜形状的选择 | 第38-43页 |
| 3.1.3 压力传感器硅膜尺寸的优化设计 | 第43-45页 |
| 3.2 压力传感器扩散电阻位置设计 | 第45-51页 |
| 3.2.1 硅膜应力分布计算 | 第45-48页 |
| 3.2.2 硅膜电阻位置计算 | 第48-51页 |
| 3.3 压力传感器理论灵敏度计算 | 第51-53页 |
| 3.4 非对称基区晶体管基区电阻比设计 | 第53-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 非对称基区晶体管温度补偿压力传感器芯片制作与封装 | 第55-61页 |
| 4.1 非对称基区晶体管温度补偿压力传感器芯片版图 | 第55页 |
| 4.2 非对称基区晶体管温度补偿压力传感器制作工艺 | 第55-57页 |
| 4.3 非对称基区晶体管温度补偿压力传感器芯片封装 | 第57-60页 |
| 4.3.1 封装管座设计 | 第57-59页 |
| 4.3.2 静电键合 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 实验结果与分析 | 第61-80页 |
| 5.1 压力传感器静态特性 | 第61-70页 |
| 5.1.1 压力传感器静态特性主要指标 | 第61-63页 |
| 5.1.2 压力传感器静态特性计算程序 | 第63-64页 |
| 5.1.3 压力传感器静态特性实验测试 | 第64-67页 |
| 5.1.4 压力传感器静态特性曲线绘制 | 第67-70页 |
| 5.2 非对称基区晶体管特性 | 第70-74页 |
| 5.2.1 非对称基区晶体管I-V特性 | 第70-72页 |
| 5.2.2 非对称基区晶体管温度特性 | 第72-74页 |
| 5.3 非对称基区晶体管温度补偿压力传感器温度特性 | 第74-76页 |
| 5.3.1 补偿前压力传感器温度特性 | 第74页 |
| 5.3.2 补偿后压力传感器温度特性 | 第74-76页 |
| 5.4 非对称基区晶体管优化设计 | 第76-79页 |
| 5.5 本章小结 | 第79-80页 |
| 结论 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第90-91页 |
| 攻读学位期间科研项目 | 第91-92页 |
| 附录 | 第92-96页 |
