| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 径向相对论速调管的研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2 速调管的国内外发展现状 | 第12-15页 |
| 1.3 论文的主要内容 | 第15-17页 |
| 第2章 相对论速调管的相关理论 | 第17-32页 |
| 2.1 速调管的基本工作原理 | 第17-18页 |
| 2.2 速度调制原理 | 第18-20页 |
| 2.3 电子束负载 | 第20-21页 |
| 2.4 电子束的群聚漂移 | 第21-27页 |
| 2.4.1 电子群聚的时-空图 | 第21-24页 |
| 2.4.2 电子群聚的相位图 | 第24-25页 |
| 2.4.3 群聚电流 | 第25-27页 |
| 2.5 电子束的能量转换 | 第27-31页 |
| 2.5.1 高频腔中的感应电流 | 第27-29页 |
| 2.5.2 高频腔的能量交换 | 第29-31页 |
| 2.6 中间腔的设计要求 | 第31页 |
| 2.7 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 刻槽谐振腔的设计及高频特性分析 | 第32-45页 |
| 3.1 刻槽谐振腔的理论设计 | 第32-40页 |
| 3.1.1 物理模型 | 第33页 |
| 3.1.2 色散方程 | 第33-40页 |
| 3.2 刻槽谐振腔的仿真结果分析 | 第40-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 刻槽谐振腔高次模的抑制 | 第45-53页 |
| 4.1 高次模的产生机理及抑制措施 | 第45-47页 |
| 4.1.1 高次模的产生机理 | 第45-46页 |
| 4.1.2 高次模的抑制机理 | 第46页 |
| 4.1.3 高次模的抑制方法及其在径向速调管器件中的局限性 | 第46-47页 |
| 4.2 利用磁耦合环抑制刻槽谐振腔高次模的理论依据 | 第47-48页 |
| 4.3 利用磁耦合环抑制刻槽谐振腔高次模的建模及仿真 | 第48-52页 |
| 4.3.1 利用磁耦合环抑制高次模的模型 | 第48-49页 |
| 4.3.2 仿真结果及分析 | 第49-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 总结与展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第61页 |
