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底发射结构光泵浦垂直外腔半导体激光器的若干关键技术研究

中文摘要第3-5页
英文摘要第5-7页
1 绪论第11-27页
    1.1 课题研究背景第11-14页
    1.2 OPSL研究现状第14-23页
        1.2.1 理论研究现状第14-16页
        1.2.2 材料体系研究现状第16-18页
        1.2.3 高功率研究现状第18-21页
        1.2.4 外腔扩展应用研究第21-23页
    1.3 本课题研究目的及意义第23-24页
    1.4 论文的主要内容第24-25页
    1.5 小结第25-27页
2 OPSL外延片理论基础与结构设计第27-55页
    2.1 OPSL工作原理与基本结构第27-29页
        2.1.1 OPSL工作原理第27-28页
        2.1.2 顶发射和底发射结构第28-29页
    2.2 应变量子阱第29-42页
        2.2.1 OPSL材料体系第29-31页
        2.2.2 应变量子阱临界厚度第31-33页
        2.2.3 应变量子阱能级结构第33-42页
    2.3 DBR反射镜设计第42-48页
    2.4 OPSL微腔特性第48-53页
    2.5 OPSL结构设计第53-54页
    2.6 本章小结第54-55页
3 OPSL热管理研究第55-79页
    3.1 TEC的热传导模型第55-63页
        3.1.1 TEC制冷特性及其模型第56-58页
        3.1.2 TEC广义热传导模型第58-60页
        3.1.3 TEC广义热传模型可靠性验证第60-63页
    3.2 OPSL热管理模型第63-65页
    3.3 窗口散热模式第65-72页
        3.3.1 窗口散热片对量子阱温度的影响第66-70页
        3.3.2 泵浦光对量子阱温度的影响第70-72页
    3.4 热传导散热模式第72-76页
        3.4.1 TEC制冷特性对量子阱温度的影响第72-74页
        3.4.2 OPSL热沉对量子阱温度的影响第74-76页
    3.5 本章小结第76-79页
4 OPSL封装技术研究第79-105页
    4.1 OPSL外延片焊接工艺研究第79-91页
        4.1.1 外延片表面金属化工艺第80-82页
        4.1.2 OPSL外延片清洗工艺第82页
        4.1.3 钎焊机理第82-83页
        4.1.4 半导体激光器封装的常用焊料第83-86页
        4.1.5 铅锡合金焊工艺研究第86-91页
    4.2 晶片键合研究第91-96页
        4.2.1 晶片键合基本原理第91-95页
        4.2.2 晶片键合实验研究第95-96页
    4.3 OPSL外延片基质刻蚀工艺研究第96-103页
        4.3.1 外延片基质减薄工艺第98页
        4.3.2 外延片基质的化学腐蚀第98-100页
        4.3.3 快速腐蚀工艺参数研究第100-101页
        4.3.4 OPSL基质腐蚀实验第101-103页
    4.4 TEC温控系统第103-104页
    4.5 小结第104-105页
5 OPSL实验研究第105-131页
    5.1 高功率OPSL特性研究第105-120页
        5.1.1 OPSL泵浦方式第105-106页
        5.1.2 OPSL腔结构第106-109页
        5.1.3 OPSL输出功率的数值模拟第109-113页
        5.1.4 OPSL反射谱与面发射谱第113-116页
        5.1.5 激光器输出特性第116-120页
    5.2 OPSL倍频特性研究第120-130页
        5.2.1 倍频基本原理第120-123页
        5.2.2 LBO倍频晶体第123-128页
        5.2.3 OPSL倍频实验第128-130页
    5.3 本章小结第130-131页
6 结论第131-135页
    6.1 论文工作的创新点主要有:第132页
    6.2 论文的不足与展望第132-135页
致谢第135-137页
参考文献第137-151页
附录第151页

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