底发射结构光泵浦垂直外腔半导体激光器的若干关键技术研究
中文摘要 | 第3-5页 |
英文摘要 | 第5-7页 |
1 绪论 | 第11-27页 |
1.1 课题研究背景 | 第11-14页 |
1.2 OPSL研究现状 | 第14-23页 |
1.2.1 理论研究现状 | 第14-16页 |
1.2.2 材料体系研究现状 | 第16-18页 |
1.2.3 高功率研究现状 | 第18-21页 |
1.2.4 外腔扩展应用研究 | 第21-23页 |
1.3 本课题研究目的及意义 | 第23-24页 |
1.4 论文的主要内容 | 第24-25页 |
1.5 小结 | 第25-27页 |
2 OPSL外延片理论基础与结构设计 | 第27-55页 |
2.1 OPSL工作原理与基本结构 | 第27-29页 |
2.1.1 OPSL工作原理 | 第27-28页 |
2.1.2 顶发射和底发射结构 | 第28-29页 |
2.2 应变量子阱 | 第29-42页 |
2.2.1 OPSL材料体系 | 第29-31页 |
2.2.2 应变量子阱临界厚度 | 第31-33页 |
2.2.3 应变量子阱能级结构 | 第33-42页 |
2.3 DBR反射镜设计 | 第42-48页 |
2.4 OPSL微腔特性 | 第48-53页 |
2.5 OPSL结构设计 | 第53-54页 |
2.6 本章小结 | 第54-55页 |
3 OPSL热管理研究 | 第55-79页 |
3.1 TEC的热传导模型 | 第55-63页 |
3.1.1 TEC制冷特性及其模型 | 第56-58页 |
3.1.2 TEC广义热传导模型 | 第58-60页 |
3.1.3 TEC广义热传模型可靠性验证 | 第60-63页 |
3.2 OPSL热管理模型 | 第63-65页 |
3.3 窗口散热模式 | 第65-72页 |
3.3.1 窗口散热片对量子阱温度的影响 | 第66-70页 |
3.3.2 泵浦光对量子阱温度的影响 | 第70-72页 |
3.4 热传导散热模式 | 第72-76页 |
3.4.1 TEC制冷特性对量子阱温度的影响 | 第72-74页 |
3.4.2 OPSL热沉对量子阱温度的影响 | 第74-76页 |
3.5 本章小结 | 第76-79页 |
4 OPSL封装技术研究 | 第79-105页 |
4.1 OPSL外延片焊接工艺研究 | 第79-91页 |
4.1.1 外延片表面金属化工艺 | 第80-82页 |
4.1.2 OPSL外延片清洗工艺 | 第82页 |
4.1.3 钎焊机理 | 第82-83页 |
4.1.4 半导体激光器封装的常用焊料 | 第83-86页 |
4.1.5 铅锡合金焊工艺研究 | 第86-91页 |
4.2 晶片键合研究 | 第91-96页 |
4.2.1 晶片键合基本原理 | 第91-95页 |
4.2.2 晶片键合实验研究 | 第95-96页 |
4.3 OPSL外延片基质刻蚀工艺研究 | 第96-103页 |
4.3.1 外延片基质减薄工艺 | 第98页 |
4.3.2 外延片基质的化学腐蚀 | 第98-100页 |
4.3.3 快速腐蚀工艺参数研究 | 第100-101页 |
4.3.4 OPSL基质腐蚀实验 | 第101-103页 |
4.4 TEC温控系统 | 第103-104页 |
4.5 小结 | 第104-105页 |
5 OPSL实验研究 | 第105-131页 |
5.1 高功率OPSL特性研究 | 第105-120页 |
5.1.1 OPSL泵浦方式 | 第105-106页 |
5.1.2 OPSL腔结构 | 第106-109页 |
5.1.3 OPSL输出功率的数值模拟 | 第109-113页 |
5.1.4 OPSL反射谱与面发射谱 | 第113-116页 |
5.1.5 激光器输出特性 | 第116-120页 |
5.2 OPSL倍频特性研究 | 第120-130页 |
5.2.1 倍频基本原理 | 第120-123页 |
5.2.2 LBO倍频晶体 | 第123-128页 |
5.2.3 OPSL倍频实验 | 第128-130页 |
5.3 本章小结 | 第130-131页 |
6 结论 | 第131-135页 |
6.1 论文工作的创新点主要有: | 第132页 |
6.2 论文的不足与展望 | 第132-135页 |
致谢 | 第135-137页 |
参考文献 | 第137-151页 |
附录 | 第151页 |