| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 SiC的基本性质 | 第13-16页 |
| 1.2.1 SiC的结构 | 第14-15页 |
| 1.2.2 SiC的物理性质 | 第15页 |
| 1.2.3 SiC的电学性质 | 第15页 |
| 1.2.4 SiC的化学性质 | 第15页 |
| 1.2.5 SiC的光学性质 | 第15-16页 |
| 1.3 制备SiC纳米材料的机制 | 第16-18页 |
| 1.4 SiC纳米材料的制备方法 | 第18-24页 |
| 1.4.1 碳热还原法 | 第18-19页 |
| 1.4.2 化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| 1.4.3 电弧放电法 | 第20-21页 |
| 1.4.4 模板法 | 第21-22页 |
| 1.4.5 热解有机前驱体法 | 第22页 |
| 1.4.6 熔盐法 | 第22-24页 |
| 1.5 SiC纳米材料的应用 | 第24-25页 |
| 1.5.1 SiC纳米材料在光学方面的应用 | 第24页 |
| 1.5.2 SiC纳米材料在电学方面的应用 | 第24-25页 |
| 1.5.3 SiC纳米材料在力学方面的应用 | 第25页 |
| 1.6 本论文的研究背景和内容 | 第25-26页 |
| 第二章 样品的制备和测试表征 | 第26-36页 |
| 2.1 实验原料及仪器设备 | 第26-27页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第26-27页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第27页 |
| 2.2 实验方法 | 第27-33页 |
| 2.2.1 气固法实验流程 | 第27-31页 |
| 2.2.2 熔盐法实验流程 | 第31-33页 |
| 2.3 样品的表征 | 第33-35页 |
| 2.3.1 X射线衍射（XRD） | 第33页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM） | 第33-34页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜&X射线能谱（TEM&EDS） | 第34页 |
| 2.3.4 拉曼光谱（Raman spectra） | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 气固法制备SiC纳米材料 | 第36-51页 |
| 3.1 前言 | 第36页 |
| 3.2 样品制备与表征 | 第36-37页 |
| 3.3 石墨坩埚中不同实验条件对制备SiC纳米材料的影响 | 第37-44页 |
| 3.3.1 温度对真空氛围下制备SiC纳米材料的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 保温时长对真空氛围下制备SiC纳米材料的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.3 石墨坩埚中制备样品的形貌表征 | 第40-42页 |
| 3.3.4 实验氛围对制备SiC纳米材料的影响 | 第42-44页 |
| 3.4 刚玉坩埚中不同条件下对制备SiC纳米材料的影响 | 第44-50页 |
| 3.4.1 温度对下制备SiC纳米材料的影响 | 第44-47页 |
| 3.4.2 保温时长对真空氛围下制备SiC纳米材料的影响 | 第47-48页 |
| 3.4.3 刚玉坩埚中制备样品形貌表征 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 熔盐法制备SiC纳米材料 | 第51-66页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 样品制备 | 第52-53页 |
| 4.3 Si粉和石墨烯分别作为Si源和碳源来制备SiC纳米材料 | 第53-60页 |
| 4.3.1 LiCl-KCl熔盐体系 | 第53-54页 |
| 4.3.2 NaCl-NaF熔盐体系 | 第54-56页 |
| 4.3.3 NaCl熔盐体系 | 第56-60页 |
| 4.4 SiO2和石墨烯分别作为Si源和碳源来制备SiC纳米材料 | 第60-65页 |
| 4.4.1 镁热还原SiO2实验原理 | 第60-61页 |
| 4.4.2 原料不同配比对制备SiC纳米材料的影响 | 第61-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及取得的相关科研成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
