| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 热电偶测温技术的简介 | 第12-15页 |
| 1.2.1 热电偶的工作原理 | 第12-13页 |
| 1.2.2 K型薄膜热电偶温度传感器的技术特点 | 第13-15页 |
| 1.3 薄膜热电偶的国内外发展现状 | 第15-17页 |
| 1.3.1 薄膜热电偶应用现状 | 第15-16页 |
| 1.3.2 薄膜热电偶制备现状 | 第16-17页 |
| 1.4 K型薄膜热电偶的制备方法 | 第17-21页 |
| 1.4.1 磁控溅射沉积 | 第17-19页 |
| 1.4.2 电子束蒸发沉积 | 第19-20页 |
| 1.4.3 电弧离子镀沉积 | 第20-21页 |
| 1.5 本课题研究意义与内容 | 第21-23页 |
| 第2章 实验设备与实验材料 | 第23-37页 |
| 2.1 FLJ560CI1型磁控溅射镀膜设备 | 第23-25页 |
| 2.1.1 真空获得 | 第23-24页 |
| 2.1.2 靶基座及基片架 | 第24-25页 |
| 2.1.3 电源及检测控制 | 第25页 |
| 2.2 电子束蒸发镀膜设备 | 第25-29页 |
| 2.2.1 真空获得 | 第25-27页 |
| 2.2.2 电子枪及坩埚架组件 | 第27-28页 |
| 2.2.3 电源及检测控制 | 第28-29页 |
| 2.3 多弧离子镀设备 | 第29-31页 |
| 2.3.1 真空获得 | 第29-30页 |
| 2.3.2 弧源及基片架 | 第30-31页 |
| 2.3.3 电源及检测控制 | 第31页 |
| 2.4 实验材料及其预处理 | 第31-33页 |
| 2.5 热电偶薄膜的表征方法及仪器 | 第33-34页 |
| 2.5.1 扫描电子显微镜 | 第33-34页 |
| 2.5.2 岛电FP93型可编程PID温度控制及显示仪 | 第34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-37页 |
| 第3章 磁控溅射及电子束蒸发沉积制备K型薄膜热电偶 | 第37-53页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 磁控溅射沉积K型热电偶(NiCr/NiSi)薄膜实验 | 第37-49页 |
| 3.2.1 实验参数分析 | 第37-40页 |
| 3.2.2 制备工艺 | 第40-43页 |
| 3.2.3 实验结果与分析 | 第43-49页 |
| 3.2.4 小结 | 第49页 |
| 3.3 电子束蒸发和磁控溅射联合沉积K型热电偶薄膜实验 | 第49-52页 |
| 3.3.1 实验参数分析及制备工艺 | 第50-51页 |
| 3.3.2 实验结果及分析 | 第51-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 K型薄膜热电偶静态性能研究 | 第53-65页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 静态标定实验原理及过程 | 第53-54页 |
| 4.3 标定结果与分析 | 第54-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-65页 |
| 第5章 电弧离子镀沉积NiSi薄膜的初步探索 | 第65-77页 |
| 5.1 引言 | 第65页 |
| 5.2 电弧离子镀沉积NiSi薄膜的实验 | 第65-68页 |
| 5.3 实验结果分析 | 第68-73页 |
| 5.3.1 真空阴极电弧的基本理论 | 第68-70页 |
| 5.3.2 真空阴极电弧的运动特点 | 第70-71页 |
| 5.3.3 NiSi磁性靶弧光放电现象分析 | 第71-73页 |
| 5.4 针对电弧离子镀沉积磁性材料的一些办法 | 第73-74页 |
| 5.5 本章小结 | 第74-77页 |
| 第6章 结论与展望 | 第77-79页 |
| 6.1 结论 | 第77页 |
| 6.2 展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
