| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 1 引言 | 第10-12页 |
| 2 单晶硅太阳以电池基础简介 | 第12-28页 |
| ·电池原理 | 第12-16页 |
| ·输出功率 | 第13页 |
| ·填充因子 | 第13-14页 |
| ·载流子复合 | 第14-16页 |
| ·影响单晶硅电池效率因素及提高效率方法 | 第16-19页 |
| ·提高太阳以电池效率的途径 | 第16-17页 |
| ·SiNx薄膜减反射原理介绍 | 第17-18页 |
| ·SiNx薄膜钝化原理介绍 | 第18-19页 |
| ·实验设备 | 第19-23页 |
| ·LF-PECVD | 第19页 |
| ·微波光电诱导衰减仪(μ-PCD) | 第19-20页 |
| ·晶硅电池电特性测试仪 | 第20-21页 |
| ·量子效率测试仪 | 第21页 |
| ·椭圆偏振仪 | 第21-23页 |
| ·实验方案 | 第23-28页 |
| ·晶硅太阳以电池软件PCID模拟 | 第23-26页 |
| ·双层薄膜生产实验方案 | 第26-28页 |
| 3 双层SiNx薄膜特性研究 | 第28-37页 |
| ·内层膜折射率变化对单晶硅电池性能影响研究 | 第28-34页 |
| ·NH_3:SiH_4流量比与薄膜沉积速率和折射率等相关性 | 第28-30页 |
| ·NH_3:SiH_4流量比与SiNx膜钝化效果相关性 | 第30-32页 |
| ·NH_3:SiH_4流量比对双层SiNx单晶硅电池特性影响 | 第32-34页 |
| ·内层膜厚度变化对SiNx膜特性的影响 | 第34-36页 |
| ·沉积时间对反射率的影响 | 第34-35页 |
| ·沉积时间对内量子效率的影响 | 第35-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 4 双层SiNx薄膜对单晶硅太阳以电池研究 | 第37-45页 |
| ·单晶硅太阳以电池生产流程 | 第37-41页 |
| ·金字塔绒面织构 | 第37-38页 |
| ·扩散制p-n结 | 第38-39页 |
| ·等离子刻蚀去边 | 第39页 |
| ·去磷硅玻璃 | 第39页 |
| ·PECVD镀SiN_x膜 | 第39-40页 |
| ·丝网印刷金属电极 | 第40页 |
| ·烘干烧结 | 第40-41页 |
| ·双层SiNx膜相对单层SiN_x膜对单晶硅太阳以电池效率影响 | 第41-45页 |
| ·单晶硅太阳以电池电特性参数 | 第41-43页 |
| ·单晶硅太阳以电池外量子效率 | 第43-44页 |
| ·单晶硅太阳以电池有效少子寿命 | 第44-45页 |
| 5 结论 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 作者简历 | 第49-51页 |
| 学位论文数据集 | 第51页 |
