| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 热电效应 | 第12-15页 |
| 1.2.1 塞贝克效应 | 第12-13页 |
| 1.2.2 帕尔贴效应 | 第13-14页 |
| 1.2.3 汤姆逊效应 | 第14-15页 |
| 1.2.4 三种效应之间的关系 | 第15页 |
| 1.3 热电性能的表征 | 第15-19页 |
| 1.3.1 热电优值与热电转换效率 | 第15-16页 |
| 1.3.2 热电材料的相关输运特性 | 第16-19页 |
| 1.4 提高材料热电优值的途径 | 第19-23页 |
| 1.4.1 提高功率因子 | 第19-22页 |
| 1.4.2 降低热导率 | 第22-23页 |
| 1.5 典型热电材料的种类 | 第23-27页 |
| 1.5.1 Bi及Bi-Te合金 | 第23-24页 |
| 1.5.2 PbTe及其相关化合物 | 第24页 |
| 1.5.3 Si-Ge合金 | 第24-25页 |
| 1.5.4 方钴矿 | 第25页 |
| 1.5.5 Half-Heusler化合物 | 第25-26页 |
| 1.5.6 Zintl相化合物 | 第26-27页 |
| 1.6 论文的主要研究内容 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-36页 |
| 第二章 理论方法及程序 | 第36-42页 |
| 2.1 引言 | 第36页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第36-38页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn理论 | 第36-37页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第37页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第37-38页 |
| 2.3 密度泛函的限制 | 第38-39页 |
| 2.4 本文采用的计算程序 | 第39-40页 |
| 2.4.1 VASP(Vienna Ab-initio Simulation Package) | 第39页 |
| 2.4.2 WIEN2k | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 第一性原理研究Zintl相化合物Ba_3Al_3P_5和Ba_3Ga_3P_5热电性质差异的起因 | 第42-60页 |
| 3.1 研究背景 | 第42-43页 |
| 3.2 计算方法 | 第43页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第43-55页 |
| 3.3.1 晶格结构、稳定性以及化学键特征 | 第43-47页 |
| 3.3.2 晶格热导率 | 第47-48页 |
| 3.3.3 热电输运性质 | 第48-51页 |
| 3.3.4 电子结构 | 第51-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 第四章 利用Pb掺杂Ca_5In_2Sb_6出现的中间带提高其热电性能 | 第60-78页 |
| 4.1 研究背景 | 第60页 |
| 4.2 计算方法 | 第60-62页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第62-73页 |
| 4.3.1 晶格结构 | 第62-63页 |
| 4.3.2 热电输运性质 | 第63-66页 |
| 4.3.3 电子结构 | 第66-69页 |
| 4.3.4 Pb掺杂的Ca_5In_2Sb_6 | 第69-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第五章 Li掺杂引起的高能谷简并改善a-MgAgSb的热电性能 | 第78-96页 |
| 5.1 研究背景 | 第78-79页 |
| 5.2 计算方法 | 第79-82页 |
| 5.2.1 计算模型和参数 | 第79-80页 |
| 5.2.2 化学势和掺杂形成能 | 第80-82页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第82-91页 |
| 5.3.1 晶格结构 | 第82-83页 |
| 5.3.2 晶格热导率 | 第83-84页 |
| 5.3.3 电子结构 | 第84-86页 |
| 5.3.4 热电输运性质 | 第86-88页 |
| 5.3.5 Li掺杂的MgAgSb | 第88-91页 |
| 5.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-96页 |
| 第六章 结论与展望 | 第96-98页 |
| 6.1 结论 | 第96-97页 |
| 6.2 展望 | 第97-98页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文和奖励 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
