| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 低维结构半导体材料简介 | 第10页 |
| 1.2 低维结构材料的量子效应 | 第10-13页 |
| 1.2.1 量子尺寸效应 | 第11-12页 |
| 1.2.2 量子隧穿效应 | 第12-13页 |
| 1.3 量子点的形成 | 第13-14页 |
| 1.4 应用前景 | 第14-15页 |
| 1.5 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.6 本论文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 实验技术和方法 | 第18-24页 |
| 2.1 原子力显微镜（AFM） | 第18-20页 |
| 2.2 透射电子显微镜（TEM） | 第20-22页 |
| 2.3 光致发光测试系统 | 第22-24页 |
| 第3章 GaAs间隔层厚度对InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响 | 第24-32页 |
| 3.1 样品结构以及制备条件 | 第24-25页 |
| 3.2 激发强度对InAs/GaAs量子点PL光谱的影响 | 第25-27页 |
| 3.3 温度对InAs/GaAs量子点PL光谱的影响 | 第27-29页 |
| 3.4 InAs/GaAs量子点TRPL光谱 | 第29-31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 AlGaAs阻挡层对InAs/GaAs量子点分子发光性质的影响 | 第32-42页 |
| 4.1 InAs/GaAs量子点对材料的结构形貌分析 | 第32-34页 |
| 4.2 不同激发强度、激发波长下InAs/GaAs量子点的PL光谱 | 第34-37页 |
| 4.3 温度对插入Al_(0.5)Ga_(0.5)As势垒层的InAs/GaAs量子点PL光谱的影响 | 第37-39页 |
| 4.4 InAs/Ga(Al)As量子点TRPL光谱 | 第39-41页 |
| 4.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 InAs/GaAs和InAs/GaAs_(1-x)Sb_x混合量子点分子材料光学特性 | 第42-51页 |
| 5.1 样品结构和XRD组份分析 | 第42-44页 |
| 5.2 单层InAs/GaAs、InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点PL光谱 | 第44-46页 |
| 5.3 不同激发强度下InAs/GaAs、InAs/GaAs_(1-x)Sb_x单层量子点PL光谱 | 第46-48页 |
| 5.4 InAs/GaAs+InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点PL光谱 | 第48-50页 |
| 5.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 结束语 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士研究生期间取得的学术成果 | 第60页 |
