基于SiC MOSFET的270V直流固态断路器的研制
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 注释表 | 第11-13页 |
| 缩略词 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第14-17页 |
| 1.1.1 直流供配电系统 | 第14-15页 |
| 1.1.2 直流供配电存在的问题 | 第15-16页 |
| 1.1.3 碳化硅材料的性能优势 | 第16-17页 |
| 1.2 直流固态断路器研究现状 | 第17-20页 |
| 1.2.1 直流断路器类别 | 第17-18页 |
| 1.2.2 国内外研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 直流固态断路器基本原理 | 第20-21页 |
| 1.3.1 基本拓扑结构 | 第20页 |
| 1.3.2 SiC MOSFET的优劣 | 第20-21页 |
| 1.4 本文的内容安排 | 第21-23页 |
| 第二章 SiC MOSFET的特性与参数分析 | 第23-39页 |
| 2.1 静态特性及其参数 | 第24-29页 |
| 2.1.1 输出特性 | 第24-25页 |
| 2.1.2 转移特性 | 第25-27页 |
| 2.1.3 二极管特性 | 第27-28页 |
| 2.1.4 第三象限特性 | 第28-29页 |
| 2.2 动态特性及其参数 | 第29-34页 |
| 2.2.1 开关特性 | 第29-32页 |
| 2.2.2 栅极充电特性 | 第32-34页 |
| 2.3 热特性及其参数 | 第34-36页 |
| 2.4 实验测试 | 第36-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 SiC MOSFET短路特性分析与研究 | 第39-54页 |
| 3.1 短路故障 | 第39-44页 |
| 3.1.1 短路模态分析 | 第40-41页 |
| 3.1.2 短路故障机理分析 | 第41-44页 |
| 3.2 电路参数对短路特性的影响 | 第44-50页 |
| 3.2.1 直流母线电压的影响 | 第45-46页 |
| 3.2.2 驱动电阻的影响 | 第46页 |
| 3.2.3 栅极驱动电压的影响 | 第46-47页 |
| 3.2.4 参数影响的量化分析 | 第47-50页 |
| 3.3 短路能力及器件恶化分析 | 第50-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 SiC基直流固态断路器的设计 | 第54-68页 |
| 4.1 主要技术指标 | 第54页 |
| 4.2 硬件电路设计 | 第54-63页 |
| 4.2.1 驱动电路 | 第54-55页 |
| 4.2.2 保护电路 | 第55-62页 |
| 4.2.3 辅助电源 | 第62-63页 |
| 4.3 软件电路设计 | 第63-65页 |
| 4.3.1 中断程序 | 第63-64页 |
| 4.3.2 故障监测 | 第64-65页 |
| 4.4 实验测试结果 | 第65-67页 |
| 4.4.1 硬开关故障 | 第65-67页 |
| 4.4.2 负载故障 | 第67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第68页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第75页 |
