| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 课题研究背景及研究意义 | 第8-9页 |
| 1.2 In_2O_3半导体材料简介 | 第9-10页 |
| 1.2.1 In_2O_3基本性质 | 第9页 |
| 1.2.2 In_2O_3的物理性质 | 第9-10页 |
| 1.3 纳米In_2O_3的制备方法 | 第10-12页 |
| 1.4 纳米In_2O_3的研究现状 | 第12-16页 |
| 1.5 论文研究的主要内容 | 第16-18页 |
| 第2章 In_2O_3纳米薄膜的制备及表征 | 第18-29页 |
| 2.1 溶胶凝胶法 | 第18-19页 |
| 2.2 主要试剂和仪器 | 第19-20页 |
| 2.2.1 主要试剂 | 第19-20页 |
| 2.2.2 主要仪器 | 第20页 |
| 2.3 In_2O_3纳米薄膜的制备 | 第20-24页 |
| 2.3.1 In_2O_3溶胶的制备 | 第20-23页 |
| 2.3.2 基底的清洗 | 第23页 |
| 2.3.3 涂膜工序 | 第23-24页 |
| 2.3.4 高温热处理 | 第24页 |
| 2.4 In_2O_3纳米薄膜的表征 | 第24-28页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析（XRD） | 第24-26页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜分析（SEM） | 第26-28页 |
| 2.5 本章小节 | 第28-29页 |
| 第3章 金掺杂In_2O_3纳米薄膜的制备及表征 | 第29-38页 |
| 3.1 纳米金的制备 | 第29-30页 |
| 3.2 主要试剂和仪器 | 第30-31页 |
| 3.2.1 主要试剂 | 第30-31页 |
| 3.2.2 主要仪器 | 第31页 |
| 3.3 金掺杂的In_2O_3纳米薄膜的制备 | 第31-32页 |
| 3.4 Au掺杂In_2O_3纳米薄膜的表征 | 第32-36页 |
| 3.4.1 扫描电子显微镜分析（SEM） | 第32-35页 |
| 3.4.2 X射线衍射分析（XRD） | 第35-36页 |
| 3.5 本章小节 | 第36-38页 |
| 第4章 传感器气敏机理与传感元件制作 | 第38-46页 |
| 4.1 气敏材料的气敏机理 | 第38-41页 |
| 4.2 In_2O_3纳米材料对不同气体的气敏机理 | 第41-42页 |
| 4.3 In_2O_3气敏传感器的制备 | 第42-45页 |
| 4.3.1 气敏传感器的结构 | 第42-43页 |
| 4.3.2 金叉指电极的设计 | 第43-44页 |
| 4.3.3 传感器的制作工艺流程 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小节 | 第45-46页 |
| 第5章 In_2O_3气敏材料性能检测与分析 | 第46-54页 |
| 5.1 气敏测试系统 | 第46页 |
| 5.2 气敏元件主要测试参数 | 第46-48页 |
| 5.3 In_2O_3材料对三甲胺气敏性能测试 | 第48-53页 |
| 5.3.1 Au掺杂In_2O_3纳米膜对三甲胺灵敏度的测试 | 第48-49页 |
| 5.3.2 Au掺杂In_2O_3纳米膜工作温度的测试 | 第49-50页 |
| 5.3.3 Au掺杂In_2O_3纳米膜选择性的测试 | 第50-52页 |
| 5.3.4 Au掺杂In_2O_3纳米膜响应时间与恢复时间的测试 | 第52-53页 |
| 5.3.5 Au掺杂In_2O_3纳米膜稳定性测试 | 第53页 |
| 5.4 本章小节 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
