学位论文数据集 | 第3-4页 |
摘要 | 第4-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第16-34页 |
1.1 研究背景 | 第16-17页 |
1.2 半导体氧化物气体传感器 | 第17-28页 |
1.2.1 半导体氧化物气敏材料 | 第17-19页 |
1.2.2 半导体氧化物的敏感机理 | 第19-20页 |
1.2.3 气体传感器的应用 | 第20-22页 |
1.2.4 影响气体传感器性能的因素 | 第22-28页 |
1.3 HTLcs层状材料 | 第28-30页 |
1.3.1 HTLcs的结构与组成 | 第28-29页 |
1.3.2 HTLcs的性质 | 第29-30页 |
1.3.3 HTLcs材料的应用 | 第30页 |
1.4 本论文的主要研究内容 | 第30-34页 |
1.4.1 本论文的研究意义 | 第30-31页 |
1.4.2 本论文的主要研究内容 | 第31-34页 |
第二章 实验部分 | 第34-42页 |
2.1 实验原料 | 第34-35页 |
2.2 实验仪器 | 第35页 |
2.3 钴钛半导体氧化物异质结构的制备 | 第35-37页 |
2.3.1 四氧化三钴半导体材料的制备 | 第35-36页 |
2.3.2 二氧化钛半导体材料的制备 | 第36页 |
2.3.3 钴钛半导体氧化物异质结构材料的制备 | 第36-37页 |
2.4 石墨烯复合材料的制备 | 第37-38页 |
2.4.1 氧化石墨的制备 | 第37页 |
2.4.2 还原氧化石墨烯的制备 | 第37页 |
2.4.3 Co_3O_4半导体氧化物材料的制备 | 第37-38页 |
2.4.4 Co_3O_4/rGO复合材料的制备 | 第38页 |
2.5 样品的分析与表征 | 第38-40页 |
2.5.1 X射线衍射分析(XRD) | 第38-39页 |
2.5.2 傅里叶变换红外光谱分析(FT-IR) | 第39页 |
2.5.3 拉曼光谱分析(Raman) | 第39页 |
2.5.4 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第39页 |
2.5.5 透射电子显微镜(TEM/HRTEM)分析 | 第39-40页 |
2.5.6 X射线光电子能谱(XPS) | 第40页 |
2.5.7 低温氮气吸脱附(BET) | 第40页 |
2.5.8 热重分析-差热分析法(TG-DTA) | 第40页 |
2.6 气敏性能测试 | 第40-42页 |
第三章 钴钛半导体氧化物异质结构的气敏性能研究 | 第42-72页 |
3.1 引言 | 第42-43页 |
3.2 样品的分析与表征 | 第43-58页 |
3.2.1 X射线粉末衍射分析 | 第43-47页 |
3.2.2 扫描电子显微镜分析 | 第47-51页 |
3.2.3 透射电子显微镜分析 | 第51-52页 |
3.2.4 分析热重分析-差热分析法 | 第52-53页 |
3.2.5 低温氮气吸脱附 | 第53-56页 |
3.2.6 X射线光电子能谱 | 第56-58页 |
3.3 样品的气敏性能测试 | 第58-69页 |
3.3.1 钴钛半导体异质结构的气敏性能 | 第58-66页 |
3.3.2 钴钛半导体异质结构的气敏机理 | 第66-69页 |
3.4 本章小结 | 第69-72页 |
第四章 Co_3O_4/rGO复合材料的气敏性能研究 | 第72-90页 |
4.1 引言 | 第72-73页 |
4.2 样品的分析与表征 | 第73-84页 |
4.2.1 X射线粉末衍射分析 | 第73-75页 |
4.2.2 傅里叶变换红外光谱分析 | 第75-76页 |
4.2.3 拉曼光谱分析 | 第76-77页 |
4.2.4 扫描电子显微镜分析 | 第77-79页 |
4.2.5 透射电子显微镜分析 | 第79-80页 |
4.2.6 低温氮气吸脱附 | 第80-81页 |
4.2.7 X射线光电子能谱 | 第81-84页 |
4.3 样品的气敏性能测试 | 第84-89页 |
4.3.1 Co_3O_4/rGO复合材料的气敏性能 | 第84-87页 |
4.3.2 Co_3O_4/rGO复合材料的气敏机理 | 第87-89页 |
4.4 本章小结 | 第89-90页 |
第五章 结论 | 第90-92页 |
本论文创新点 | 第92-94页 |
参考文献 | 第94-104页 |
研究成果及发表的学术论文 | 第104-106页 |
致谢 | 第106-108页 |
作者及导师简介 | 第108-109页 |
附件 | 第109-110页 |