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层状前驱体法钴基多级结构气敏材料的制备及其气敏性能研究

学位论文数据集第3-4页
摘要第4-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第16-34页
    1.1 研究背景第16-17页
    1.2 半导体氧化物气体传感器第17-28页
        1.2.1 半导体氧化物气敏材料第17-19页
        1.2.2 半导体氧化物的敏感机理第19-20页
        1.2.3 气体传感器的应用第20-22页
        1.2.4 影响气体传感器性能的因素第22-28页
    1.3 HTLcs层状材料第28-30页
        1.3.1 HTLcs的结构与组成第28-29页
        1.3.2 HTLcs的性质第29-30页
        1.3.3 HTLcs材料的应用第30页
    1.4 本论文的主要研究内容第30-34页
        1.4.1 本论文的研究意义第30-31页
        1.4.2 本论文的主要研究内容第31-34页
第二章 实验部分第34-42页
    2.1 实验原料第34-35页
    2.2 实验仪器第35页
    2.3 钴钛半导体氧化物异质结构的制备第35-37页
        2.3.1 四氧化三钴半导体材料的制备第35-36页
        2.3.2 二氧化钛半导体材料的制备第36页
        2.3.3 钴钛半导体氧化物异质结构材料的制备第36-37页
    2.4 石墨烯复合材料的制备第37-38页
        2.4.1 氧化石墨的制备第37页
        2.4.2 还原氧化石墨烯的制备第37页
        2.4.3 Co_3O_4半导体氧化物材料的制备第37-38页
        2.4.4 Co_3O_4/rGO复合材料的制备第38页
    2.5 样品的分析与表征第38-40页
        2.5.1 X射线衍射分析(XRD)第38-39页
        2.5.2 傅里叶变换红外光谱分析(FT-IR)第39页
        2.5.3 拉曼光谱分析(Raman)第39页
        2.5.4 扫描电子显微镜(SEM)分析第39页
        2.5.5 透射电子显微镜(TEM/HRTEM)分析第39-40页
        2.5.6 X射线光电子能谱(XPS)第40页
        2.5.7 低温氮气吸脱附(BET)第40页
        2.5.8 热重分析-差热分析法(TG-DTA)第40页
    2.6 气敏性能测试第40-42页
第三章 钴钛半导体氧化物异质结构的气敏性能研究第42-72页
    3.1 引言第42-43页
    3.2 样品的分析与表征第43-58页
        3.2.1 X射线粉末衍射分析第43-47页
        3.2.2 扫描电子显微镜分析第47-51页
        3.2.3 透射电子显微镜分析第51-52页
        3.2.4 分析热重分析-差热分析法第52-53页
        3.2.5 低温氮气吸脱附第53-56页
        3.2.6 X射线光电子能谱第56-58页
    3.3 样品的气敏性能测试第58-69页
        3.3.1 钴钛半导体异质结构的气敏性能第58-66页
        3.3.2 钴钛半导体异质结构的气敏机理第66-69页
    3.4 本章小结第69-72页
第四章 Co_3O_4/rGO复合材料的气敏性能研究第72-90页
    4.1 引言第72-73页
    4.2 样品的分析与表征第73-84页
        4.2.1 X射线粉末衍射分析第73-75页
        4.2.2 傅里叶变换红外光谱分析第75-76页
        4.2.3 拉曼光谱分析第76-77页
        4.2.4 扫描电子显微镜分析第77-79页
        4.2.5 透射电子显微镜分析第79-80页
        4.2.6 低温氮气吸脱附第80-81页
        4.2.7 X射线光电子能谱第81-84页
    4.3 样品的气敏性能测试第84-89页
        4.3.1 Co_3O_4/rGO复合材料的气敏性能第84-87页
        4.3.2 Co_3O_4/rGO复合材料的气敏机理第87-89页
    4.4 本章小结第89-90页
第五章 结论第90-92页
本论文创新点第92-94页
参考文献第94-104页
研究成果及发表的学术论文第104-106页
致谢第106-108页
作者及导师简介第108-109页
附件第109-110页

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