| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 研究背景 | 第10-13页 |
| 1.2.1 GaAs 太阳电池发展历史 | 第10-11页 |
| 1.2.2 GaInP_2/GaAs/Ge 三结空间电池的持续进步 | 第11-13页 |
| 1.3 研究意义 | 第13-14页 |
| 第二章 三结叠层电池的理论研究 | 第14-23页 |
| 2.1 三结叠层电池短路电流 | 第14-16页 |
| 2.2 三结叠层电池开路电压 | 第16页 |
| 2.3 三结叠层电池填充因子FF 和效率η | 第16页 |
| 2.4 通过各子电池的Eg 决定各自JSC与J0 | 第16-18页 |
| 2.5 隧道结研究 | 第18页 |
| 2.6 太阳电池串联电阻Rs、并联电阻Rsh 与短路电流JSC和开路电压VOC的关系以及三结叠层电池各层厚度的研究 | 第18-19页 |
| 2.7 计算结果计分析 | 第19-22页 |
| 2.8 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 渐变带隙砷化镓太阳电池 | 第23-34页 |
| 3.1 渐变带隙结构理论 | 第23-25页 |
| 3.1.1 Harrison 线性模型 | 第23-24页 |
| 3.1.2 渐变带隙太阳电池理论模型 | 第24-25页 |
| 3.2 软件模拟太阳电池的渐变带隙机构 | 第25-30页 |
| 3.2.1 决定太阳电池效率的因素 | 第25-26页 |
| 3.2.2 模型与参数设置 | 第26-28页 |
| 3.2.3 模拟结果 | 第28-30页 |
| 3.3 分析讨论 | 第30-31页 |
| 3.4 SIMS 测试结果 | 第31-32页 |
| 3.5 I-V 曲线测试结果 | 第32-33页 |
| 3.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 GaInP/(In)GaAs/Ge 三结叠层太阳电池光电流的改进 | 第34-41页 |
| 4.1 理论计算与分析 | 第34-39页 |
| 4.1.1 Ge 电池窗口层设计 | 第34页 |
| 4.1.2 GaAs 中电池设计 | 第34-37页 |
| 4.1.3 GaInP 顶电池n/p 结构设计 | 第37-38页 |
| 4.1.4 隧穿结设计 | 第38-39页 |
| 4.2 试验结果 | 第39页 |
| 4.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第五章 三结 GaInP2/GaAs/Ge 太阳电池抗辐射物理机理报告 | 第41-47页 |
| 5.1 试验 | 第41-42页 |
| 5.1.1 电子辐射试验 | 第41页 |
| 5.1.2 三结砷化镓电池的抗辐加固设计 | 第41页 |
| 5.1.3 退火试验 | 第41-42页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第42-46页 |
| 5.2.1 GaInP_2 顶电池n/p 结构的加固设计 | 第42页 |
| 5.2.2 GaInP_2 顶电池基区的加固设计 | 第42-44页 |
| 5.2.3 顶电池发射区加固设计 | 第44页 |
| 5.2.4 GaAs 中电池基区的加固设计 | 第44-45页 |
| 5.2.5 辐照条件对三结砷化镓太阳电池电性能的影响 | 第45-46页 |
| 5.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
