| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 论文的研究背景、意义 | 第10-11页 |
| 1.2 论文的结构安排 | 第11-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 高性能长波长PIN光探测器 | 第14-32页 |
| 2.1 光探测器的基本原理 | 第14-16页 |
| 2.2 光探测器的性能参数 | 第16-21页 |
| 2.2.1 量子效率分析 | 第16页 |
| 2.2.2 高速特性分析 | 第16-18页 |
| 2.2.3 光探测器的噪声分析 | 第18-19页 |
| 2.2.4 光探测器的暗电流分析 | 第19-21页 |
| 2.3 高性能长波长PIN光探测器的研究进展 | 第21-27页 |
| 2.3.1 蘑菇型波导探测器 | 第21-22页 |
| 2.3.2 谐振增强型光探测器(RCE-PD) | 第22-23页 |
| 2.3.3 InGaAs/InP漂移增强型双吸收层PINIP型光探测器 | 第23-25页 |
| 2.3.4 “背对背”(back to back)的单极性光探测器 | 第25-26页 |
| 2.3.5 集成布拉格反射镜的双吸收层探测器 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第三章 双吸收层光探测器的等效电容特性研究 | 第32-43页 |
| 3.1 载流子运动的方程 | 第32-35页 |
| 3.1.1 泊松方程 | 第32-33页 |
| 3.1.2 载流子输运方程 | 第33页 |
| 3.1.3 载流子连续性方程 | 第33-35页 |
| 3.2 载流子迁移率模型 | 第35-36页 |
| 3.3 器件仿真流程 | 第36-37页 |
| 3.4 双吸收层光探测器的等效电容特性研究 | 第37-41页 |
| 3.4.1 器件的结构及其参数 | 第37-39页 |
| 3.4.2 器件的等效电容特性分析 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 新型双吸收层光探测器的性能分析和优化 | 第43-53页 |
| 4.1 新型双吸收层光探测器的理论分析 | 第43-45页 |
| 4.2 新型双吸收层光探测器的仿真 | 第45-49页 |
| 4.2.1 器件吸收层厚度的选取 | 第45-47页 |
| 4.2.2 新型双吸收层光探测器的外延层结构 | 第47页 |
| 4.2.3 新型双吸收层光探测器的仿真结果分析 | 第47-49页 |
| 4.3 新型双吸收层光探测器的优化 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第五章 新型双吸收层光探测器的制作和性能测试 | 第53-63页 |
| 5.1 器件外延生长结构 | 第53-54页 |
| 5.2 器件的制作 | 第54-60页 |
| 5.2.1 腐蚀液的配制 | 第54-55页 |
| 5.2.2 光刻工艺制作掩膜 | 第55-56页 |
| 5.2.3 磁控溅射镀金属电极 | 第56页 |
| 5.2.4 光探测器的版图与制作流程 | 第56-59页 |
| 5.2.5 测试光刻板的制作 | 第59-60页 |
| 5.3 器件测试结果分析 | 第60-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第66页 |