基于光辅助电化学的相干多孔硅制备工艺研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 相干多孔硅概述 | 第8-10页 |
| 1.1.1 相干多孔硅 | 第8-9页 |
| 1.1.2 相干多孔硅制备方法 | 第9-10页 |
| 1.2 电化学制备相干多孔硅国内外进展 | 第10-11页 |
| 1.2.1 国外的研究进展 | 第10页 |
| 1.2.2 国内的研究进展 | 第10-11页 |
| 1.3 相干多孔硅的应用 | 第11-16页 |
| 1.3.1 硅微通道板 | 第11-12页 |
| 1.3.2 MEMS器件 | 第12-13页 |
| 1.3.3 环路热管 | 第13-14页 |
| 1.3.4 微针 | 第14-16页 |
| 1.4 本论文的主要内容及意义 | 第16-17页 |
| 1.4.1 主要研究内容 | 第16页 |
| 1.4.2 研究意义 | 第16-17页 |
| 第二章 实验系统设计与构建 | 第17-27页 |
| 2.1 系统结构的总体设计 | 第17页 |
| 2.2 三电极电解池结构设计 | 第17-21页 |
| 2.2.1 电解池材料的选取 | 第18页 |
| 2.2.2 硅片夹具的设计 | 第18页 |
| 2.2.3 三电极的选择 | 第18-21页 |
| 2.3 2273 恒电位仪控制软件 | 第21-22页 |
| 2.4 电解液恒温系统设计 | 第22-23页 |
| 2.5 光激发系统设计 | 第23-27页 |
| 2.5.1 光源的选择 | 第23页 |
| 2.5.2 光源制备 | 第23页 |
| 2.5.3 光源控制系统 | 第23-27页 |
| 第三章 相干多孔硅制备实验 | 第27-37页 |
| 3.1 硅的电化学溶解机理 | 第27-29页 |
| 3.1.1 硅在酸性溶液中的反应方程式 | 第27页 |
| 3.1.2 n型多孔硅的形成原理 | 第27-29页 |
| 3.1.3 电流密度与通道尺寸的关系 | 第29页 |
| 3.2 相干多孔硅的制备流程 | 第29-34页 |
| 3.2.1 诱导坑的制备 | 第29-32页 |
| 3.2.2 电化学实验流程 | 第32-34页 |
| 3.3 工艺参数的选取 | 第34-35页 |
| 3.4 样品测试 | 第35-37页 |
| 3.4.1 背部形貌测试 | 第35页 |
| 3.4.2 通道剖面测试 | 第35-37页 |
| 第四章 相干多孔硅制备实验结果分析讨论 | 第37-49页 |
| 4.1 工艺参数对相干多孔硅背部形貌的影响 | 第37-43页 |
| 4.1.1 刻蚀电压对相干多孔硅背部形貌的影响 | 第37-38页 |
| 4.1.2 电解液温度对相干多孔硅背部形貌的影响 | 第38-40页 |
| 4.1.3 HF浓度对相干多孔硅背部形貌的影响 | 第40-42页 |
| 4.1.4 光照强度对相干多孔硅背部形貌的影响 | 第42-43页 |
| 4.2 相干多孔硅的通道尺寸控制研究 | 第43-49页 |
| 4.2.1 刻蚀电流的影响因素 | 第43-44页 |
| 4.2.2 电解液扩散限制对孔径控制的影响 | 第44-46页 |
| 4.2.3 暗电流对孔径控制的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.4 控制光照强度实现孔径控制 | 第47-49页 |
| 第五章 结论与展望 | 第49-50页 |
| 5.1 结论 | 第49页 |
| 5.2 展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第54页 |
