| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 气敏元件的研究背景及意义 | 第11页 |
| 1.2 国内外对气敏金属氧化物领域的探索进程及现状简要 | 第11-13页 |
| 1.3 研究过程中发展的理论与实践 | 第13-14页 |
| 1.4 本文研究内容及框架 | 第14-16页 |
| 第二章 n型气敏金属氧化物的基础知识 | 第16-27页 |
| 2.1 n型气敏金属氧化物的微观结构及能带示意图 | 第16-18页 |
| 2.1.1 半导体中电子及能带结构说明 | 第16页 |
| 2.1.2 n型半导体中微观结构说明 | 第16-17页 |
| 2.1.3 正常环境下n型金属氧化物中电子及能带结构说明 | 第17-18页 |
| 2.2 n型金属氧化物的气敏特性说明 | 第18-19页 |
| 2.3 n型金属氧化物气敏机制作用 | 第19-20页 |
| 2.4 气敏金属氧化物多晶多孔模型 | 第20-21页 |
| 2.5 气敏元件微观反应的主要内容及作用机理 | 第21-26页 |
| 2.5.1 气敏金属氧化物晶粒表层内的电荷层和耗尽层的估算 | 第21-22页 |
| 2.5.2 晶粒间界和晶粒缩颈在金属氧化物气敏电导反应中的作用 | 第22-23页 |
| 2.5.3 气敏金属氧化物多孔晶体横截面电流与电导 | 第23-26页 |
| 2.6 小结 | 第26-27页 |
| 第三章 新型气敏薄膜元件的工艺改造 | 第27-39页 |
| 3.1 光刻工艺设计方案 | 第27-31页 |
| 3.2 气敏元件结构设计 | 第31-32页 |
| 3.3 溅射的过程及溅射有效区的确定 | 第32-34页 |
| 3.4 溅射过程中碰撞离子结合能的估算 | 第34-38页 |
| 3.5 小结 | 第38-39页 |
| 第四章 传感元器件的性能测试及结果分析 | 第39-56页 |
| 4.1 薄膜气敏元件改造实验的目的 | 第39页 |
| 4.2 气敏特性曲线 | 第39-41页 |
| 4.3 气敏元件膜厚1的研究 | 第41-45页 |
| 4.4 气敏特性随气体浓度C_o的变化 | 第45-50页 |
| 4.5 掺杂量X(CeO_2)与Sn的关系 | 第50-51页 |
| 4.6 Sn随湿度[H_2O]的变化 | 第51-53页 |
| 4.7 热特性-薄膜元件芯片的温耗特性(t~0～P_h)曲线 | 第53-54页 |
| 4.8 小结 | 第54-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第62-63页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第63页 |
