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电子自旋在Bi系氧化物和Si基合金中的行为研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第13-43页
    1.1 电子自旋特点和发展现状第14-16页
        1.1.1 电子自旋的概念第14-15页
        1.1.2 电子自旋的特点第15页
        1.1.3 电子自旋的应用第15-16页
    1.2 电子自旋在高温超导体中的研究现状第16-23页
        1.2.1 高温超导体的研究进展第16-19页
            1.2.1.1 高温超导简介第16-17页
            1.2.1.2 高温超导的应用第17-18页
            1.2.1.3 高温超导机制研究进展第18-19页
        1.2.2 电子自旋在高温超导体中的研究进展第19页
        1.2.3 Bi系高温超导体的结构特征第19-21页
        1.2.4 Bi高温超导体中元素替代的研究现状第21-22页
        1.2.5 约瑟夫森结的研究现状第22-23页
    1.3 “自旋冻结”—自旋玻璃合金的研究现状第23-29页
        1.3.1 自旋玻璃概述第23-25页
            1.3.1.1 自旋玻璃形成机理第23-24页
            1.3.1.2 阻挫和无序第24-25页
        1.3.2 自旋玻璃种类第25-26页
            1.3.2.1 传统的自旋玻璃第25-26页
            1.3.2.2 再入型自旋玻璃第26页
            1.3.2.3 NAMD型自旋玻璃第26页
        1.3.3 NAMD自旋玻璃材料研究进展第26-29页
    1.4 本文的研究意义和内容第29-31页
        1.4.1 研究意义第29-30页
        1.4.2 研究内容第30-31页
    参考文献第31-43页
第2章 实验原理与方法第43-61页
    2.1 引言第43页
    2.2 相关物理概念第43-46页
        2.2.1 强关联电子系统第43页
        2.2.2 Mott绝缘体第43-44页
        2.2.3 高温超导第44-45页
        2.2.4 巡游电子第45页
        2.2.5 自旋玻璃第45-46页
        2.2.6 交流磁化率第46页
    2.3 样品制备的方法原理第46-49页
    2.4 样品表征手段第49-58页
        2.4.1 X射线衍射图谱第49-50页
        2.4.2 X射线衍射精修第50-51页
        2.4.3 扫描电子显微镜第51-52页
        2.4.4 红外吸收光谱和拉曼散射光谱第52-54页
        2.4.5 四引线法第54页
        2.4.6 范德堡法第54-55页
        2.4.7 振动样品磁强计第55-56页
        2.4.8 超导量子干涉仪第56-58页
    参考文献第58-61页
第3章 La微掺杂对Bi-2212高温超导体结构和电学性能的影响第61-75页
    3.1 引言第61-62页
    3.2 Bi_(2-x)La_xSr_2CaCu_2O_y粉体的制备和表征手段第62-64页
        3.2.1 实验药剂第62-63页
        3.2.2 样品制备过程第63页
        3.2.3 样品的表征手段第63-64页
    3.3 实验结果与讨论第64-70页
        3.3.1 X射线衍射结果分析第64-66页
        3.3.2 红外吸收光谱分析第66-67页
        3.3.3 电阻随温度变化关系分析第67-70页
    3.4 本章结论第70-71页
    参考文献第71-75页
第4章 Mn微掺杂对(Bi,La)-2212氧化物结构和物理性能的影响第75-95页
    4.1 引言第75-76页
    4.2 Bi_(1.4)La_(0.6)Sr_2CaCu_(2-x)Mn_xO_y化合物的制备与表征手段第76-77页
        4.2.1 样品制备过程第76-77页
        4.2.2 样品表征手段第77页
    4.3 结果与讨论第77-91页
        4.3.1 X射线衍射结果分析第77-83页
        4.3.2 红外吸收光谱分析第83-84页
        4.3.3 拉曼散射光谱分析第84-86页
        4.3.4 电阻随温度的变化关系分析第86-90页
        4.3.5 磁滞回线分析第90-91页
    4.4 本章结论第91-92页
    参考文献第92-95页
第5章 压缩变形对Si基合金Pr_2CuSi_3化合物晶粒生长和物理性能的影响第95-125页
    5.1 引言第95-96页
    5.2 Pr_2CuSi_3多晶化合物的制备和表征手段第96-97页
        5.2.1 样品制备第96页
        5.2.2 样品表征手段第96-97页
    5.3 结果与讨论第97-120页
        5.3.1 退火温度选择第97-101页
            5.3.1.1 X射线衍射结果分析第97-98页
            5.3.1.2 金相显微镜结果分析第98页
            5.3.1.3 能谱结果分析第98-100页
            5.3.1.4 最佳退火温度第100-101页
        5.3.2 退火时间影响第101-104页
            5.3.2.1 X射线衍射结果分析第101-102页
            5.3.2.2 金相显微镜结果分析第102-104页
        5.3.3 压缩变形第104-109页
            5.3.3.1 应力应变曲线分析第104-105页
            5.3.3.2 金相显微镜结果分析第105-109页
        5.3.4 最佳变形量36.7MPa下的Pr_2CuSi_3化合物第109-114页
            5.3.4.1 X射线衍射结果分析第109页
            5.3.4.2 金相显微镜结果分析第109-114页
        5.3.5 物理性能分析第114-120页
            5.3.5.1 电阻率的研究第114-117页
            5.3.5.2 霍尔效应的研究第117-118页
            5.3.5.3 交流磁化率的研究第118-120页
    5.4 本章结论第120-122页
    参考文献第122-125页
第6章 结论第125-127页
致谢第127-129页
攻读博士学位期间已发表和在投的论文第129-130页
作者简介第130页

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