| 学位论文数据集 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 纳米材料的概述 | 第14页 |
| 1.2 一维金属氧化物纳米材料的制备方法 | 第14-16页 |
| 1.3 SnO_2的晶体结构和性质 | 第16-17页 |
| 1.4 SnO_2一维纳米结构制备方法 | 第17-22页 |
| 1.4.1 气相合成法 | 第17-19页 |
| 1.4.2 液相反应法 | 第19-21页 |
| 1.4.3 模板制备法 | 第21-22页 |
| 1.5 SnO_2一维纳米结构的应用 | 第22-25页 |
| 1.5.1 气敏性能 | 第22-23页 |
| 1.5.2 光学催化性能 | 第23-24页 |
| 1.5.3 光电性能 | 第24-25页 |
| 1.6 研究目的及意义 | 第25-26页 |
| 第二章 实验部分 | 第26-32页 |
| 2.1 实验药品和实验仪器 | 第26-27页 |
| 2.2 实验装置 | 第27-28页 |
| 2.3 实验步骤 | 第28-29页 |
| 2.4 表征方法 | 第29页 |
| 2.4.1 物相结构 | 第29页 |
| 2.4.2 表面形貌 | 第29页 |
| 2.4.3 光电性能 | 第29页 |
| 2.4.4 气敏性能 | 第29页 |
| 2.5 SnO_2电化学制备条件研究 | 第29-32页 |
| 第三章 不同种类表面活性剂对SnO_2形貌控制的研究 | 第32-46页 |
| 3.1 无表面活性剂下电化学制备SnO_2 | 第32-33页 |
| 3.2 阳离子表面活性剂 | 第33-36页 |
| 3.3 阴离子表面活性剂 | 第36-39页 |
| 3.4 非离子表面活性剂 | 第39-42页 |
| 3.5 CTAB作用机理研究 | 第42-45页 |
| 3.6 小结 | 第45-46页 |
| 第四章 CTAB体系下SnO_2纳米棒的电化学可控制备 | 第46-66页 |
| 4.1 恒电位法电沉积制备SnO_2纳米棒 | 第46-55页 |
| 4.1.1 Sn源浓度 | 第46-49页 |
| 4.1.2 沉积电位 | 第49-51页 |
| 4.1.3 沉积温度 | 第51-54页 |
| 4.1.4 恒电位体系下,SnO_2纳米棒的生长过程探究 | 第54页 |
| 4.1.5 小结 | 第54-55页 |
| 4.2 脉冲电位法电沉积制备SnO_2纳米棒 | 第55-65页 |
| 4.2.1 Sn源浓度 | 第55-58页 |
| 4.2.2 沉积电位 | 第58-61页 |
| 4.2.3 沉积温度 | 第61-64页 |
| 4.2.4 脉冲电位体系下,SnO_2纳米棒的生长过程探究 | 第64页 |
| 4.2.5 小结 | 第64-65页 |
| 4.3 小结 | 第65-66页 |
| 第五章 SnO_2纳米棒的性能研究 | 第66-82页 |
| 5.1 SnO_2纳米棒的光电性质 | 第66-73页 |
| 5.1.1 SnO_2纳米棒的长径比对其光电性能的影响 | 第66-68页 |
| 5.1.2 SnO_2纳米棒的疏密度对其光电性能的影响 | 第68-71页 |
| 5.1.3 SnO_2纳米棒的结晶取向对其光电性能的影响 | 第71-73页 |
| 5.2 SnO_2纳米棒的气敏性能研究 | 第73-81页 |
| 5.2.1 SnO_2纳米棒的长径比对其气敏性能的影响 | 第73-76页 |
| 5.2.2 SnO_2纳米棒的疏密度比对其气敏性能的影响 | 第76-79页 |
| 5.2.3 SnO_2纳米棒的结晶取向对其气敏性能的影响 | 第79-81页 |
| 5.3 小结 | 第81-82页 |
| 第六章 结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第90-92页 |
| 作者简介 | 第92-94页 |
| 导师简介 | 第94-96页 |
| 附件 | 第96-97页 |
