| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 可靠性综述 | 第12-14页 |
| 1.2 可靠性简介 | 第14-19页 |
| 1.2.1 时间相关电介质击穿TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown) | 第15页 |
| 1.2.2 栅极氧化物完整性(GOI) | 第15-16页 |
| 1.2.3 热载流子注入效应(HCI) | 第16页 |
| 1.2.4 负偏置温度不稳定性(NBTI) | 第16-17页 |
| 1.2.5 电迁移(EM) | 第17-18页 |
| 1.2.6 应力迁移(SM) | 第18页 |
| 1.2.7 总结 | 第18-19页 |
| 1.3 热载流子注入效应(HCI)分析 | 第19-24页 |
| 1.3.1 HCI的机理简介 | 第19-20页 |
| 1.3.2 HCI的影响因素以及测试方法 | 第20-23页 |
| 1.3.3 HCI的评价标准 | 第23-24页 |
| 1.4 课题背景分析 | 第24-27页 |
| 1.4.1 90nm技术下的热载流子效应分析 | 第24-25页 |
| 1.4.2 90nm 3.3V NMOS的热载流子注入效应的改善 | 第25-27页 |
| 1.4.3 研究目的 | 第27页 |
| 1.5 小结 | 第27-28页 |
| 第二章 3.3V NMOS热载流子注入效应分析 | 第28-36页 |
| 2.1 3.3V NMOS HCI的现状 | 第28-29页 |
| 2.1.1 现有工艺的热载流子注入效应评估 | 第28-29页 |
| 2.2 原因分析 | 第29-35页 |
| 2.2.1 现有LDD注入工艺对器件的影响 | 第31-33页 |
| 2.2.2 现有退火工艺对器件的影响 | 第33-35页 |
| 2.3 小结 | 第35-36页 |
| 第三章 实验设计与研究方法 | 第36-43页 |
| 3.1 工艺比较 | 第36-37页 |
| 3.2 LDD注入的实验设计 | 第37-38页 |
| 3.3 LDD退火的实验设计 | 第38-40页 |
| 3.4 测试方法简介 | 第40-41页 |
| 3.5 实验设计小结 | 第41-43页 |
| 第四章 实验结果分析和结论 | 第43-51页 |
| 4.1 LDD注入实验的测试结果 | 第43-45页 |
| 4.2 LDD注入退火实验的测试结果 | 第45-46页 |
| 4.3 实验结果分析及优化 | 第46-49页 |
| 4.4 测试结果小结 | 第49-50页 |
| 4.5 小结 | 第50-51页 |
| 第五章 论文总结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第57页 |