| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 加速发展的微电子学 | 第9-10页 |
| 1.2 医用IC的进展 | 第10-11页 |
| 1.3 超低电压微纳电子学 | 第11页 |
| 1.4 研究内容与论文结构 | 第11-12页 |
| 1.5 创新点声明 | 第12-14页 |
| 第二章 超低电压微电子学研究基础 | 第14-25页 |
| 2.1 曼德尔院士论硅极限下的供电压 | 第14-16页 |
| 2.2 米德院士论硅极限下的供电压 | 第16-17页 |
| 2.3 280m V供电Intel处理器 | 第17-18页 |
| 2.4 160m V SAR-ADC电路 | 第18-19页 |
| 2.5 50m V 1000级反相器链电路 | 第19-20页 |
| 2.6 同步整流升压的开关MOS管技术需求预测 | 第20-21页 |
| 2.7 5m V供电压下的环形振荡器 | 第21-24页 |
| 2.7.1 电感负载环形振荡器 | 第21-22页 |
| 2.7.2 电感负载环形振荡器的增强摇摆型 | 第22-23页 |
| 2.7.3 增强摇摆型科尔皮兹振荡器(ESCO) | 第23-24页 |
| 2.8 小结 | 第24-25页 |
| 第三章 100m V供电单MOS管放大器：大宽长比分析 | 第25-35页 |
| 3.1 单NMOS管建模 | 第25页 |
| 3.2 单PMOS管建模 | 第25-28页 |
| 3.3 I-V曲线与单MOS管W/L的关系 | 第28页 |
| 3.4 CMOS非门的公式验证 | 第28-32页 |
| 3.4.1 2Hz输入信号 | 第29-30页 |
| 3.4.2 200Hz输入信号 | 第30-31页 |
| 3.4.3 2k Hz输入信号 | 第31-32页 |
| 3.5 CMOS非门放大器的仿真 | 第32-34页 |
| 3.6 小结 | 第34-35页 |
| 第四章 超低电压CMOS反相器：衬源偏置分析 | 第35-41页 |
| 4.1 标准有比CMOS反相器 | 第35-36页 |
| 4.2 基于衬偏降低阈值电压 | 第36-37页 |
| 4.3 改变迁移率和阈值电压降低功耗 | 第37-39页 |
| 4.4 弱反型区反相器的电压转移曲线 | 第39-40页 |
| 4.5 小结 | 第40-41页 |
| 第五章 基于非门放大器的滤波器的仿真设计 | 第41-47页 |
| 5.1 基本滤波 | 第41-42页 |
| 5.2 伪电阻的选择 | 第42-43页 |
| 5.3 900m V供电下的低通滤波 | 第43-44页 |
| 5.4 300m V供电下的低通滤波 | 第44-45页 |
| 5.5 500m V供电压下的带通滤波 | 第45-46页 |
| 5.6 小结 | 第46-47页 |
| 第六章 3T-MOSFET施密特触发器 | 第47-61页 |
| 6.1 确定双阈值存在的条件 | 第47-48页 |
| 6.2 推导双阈值公式 | 第48-52页 |
| 6.2.1 与负载MOS管宽长比的关系 | 第48-49页 |
| 6.2.2 与NM1管子的宽长比（W/L）3的关系 | 第49-51页 |
| 6.2.3 与上拉PM1管宽长比（W/L）1的关系 | 第51页 |
| 6.2.4 与PM2管的宽长比（W/L）2的关系 | 第51-52页 |
| 6.3 推导双阈值与输入电压的关系 | 第52-54页 |
| 6.3.1 与输入信号频率的关系 | 第52-54页 |
| 6.3.2 与输入信号幅值的关系 | 第54页 |
| 6.4 拟合阈值电压公式 | 第54-56页 |
| 6.5 公式与仿真结果对比 | 第56-57页 |
| 6.6 其它参数结果显示 | 第57-59页 |
| 6.6.1 漏极电流 | 第57页 |
| 6.6.2 输出电压与温度 | 第57-58页 |
| 6.6.3 容差分析 | 第58-59页 |
| 6.6.4 噪声分析 | 第59页 |
| 6.7 小结 | 第59-61页 |
| 第七章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 7.1 总结 | 第61-62页 |
| 7.2 展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
