| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 课题的背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究动态 | 第12-16页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 隧穿场效应晶体管的工作原理与典型结构 | 第18-30页 |
| 2.1 隧穿场效应晶体管的工作原理 | 第18-22页 |
| 2.1.1 隧穿原理 | 第18-19页 |
| 2.1.2 隧穿场效应晶体管的工作原理 | 第19-21页 |
| 2.1.3 隧穿场效应晶体管的仿真模型 | 第21-22页 |
| 2.2 隧穿场效应晶体管的典型结构 | 第22-25页 |
| 2.2.1 横向隧穿场效应晶体管典型结构 | 第22-24页 |
| 2.2.2 纵向隧穿场效应晶体管典型结构 | 第24-25页 |
| 2.3 影响隧穿场效应晶体管性能的因素 | 第25-29页 |
| 2.3.1 掺杂对隧穿的影响 | 第26-28页 |
| 2.3.2 异质结对隧穿的影响 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 隧穿增强的方法与分析 | 第30-46页 |
| 3.1 SiGe/Si异质结 | 第30-36页 |
| 3.1.1 SiGe/Si异质结分析 | 第30-31页 |
| 3.1.2 SiGe/Si异质结在TFET器件中的应用 | 第31-32页 |
| 3.1.3 器件性能分析 | 第32-35页 |
| 3.1.4 SiGe/Si异质结的局限性 | 第35-36页 |
| 3.2 介质薄膜 | 第36-40页 |
| 3.2.1 介质薄膜在TFET器件中的应用 | 第36-37页 |
| 3.2.2 介质薄膜对隧穿的增强影响 | 第37-40页 |
| 3.3 InN/Si异质结 | 第40-45页 |
| 3.3.1 压电极化效应的基本原理 | 第40-42页 |
| 3.3.2 压电极化效应的模型 | 第42页 |
| 3.3.3 InN/Si异质结的隧穿增强讨论 | 第42-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 低关态电流的InN/Si异质结TFET器件 | 第46-59页 |
| 4.1 基于压电极化效应的InN/Si异质结TFET器件 | 第46-52页 |
| 4.1.1 InN/Si异质结TFET器件结构 | 第46-48页 |
| 4.1.2 InN/Si异质结TFET器件的仿真与电学分析 | 第48-52页 |
| 4.1.2.1 能带结构 | 第48-49页 |
| 4.1.2.2 极化电场 | 第49-51页 |
| 4.1.2.3 转移特性 | 第51-52页 |
| 4.2 低关态电流的InN/Si异质结TFET器件的优化 | 第52-58页 |
| 4.2.1 漏电分析 | 第52-53页 |
| 4.2.2 InN/Si异质结TFET器件结构优化 | 第53-56页 |
| 4.2.3 优化后的电学特性 | 第56-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| 5.1 论文的主要工作与成果 | 第59-60页 |
| 5.2 论文的创新性工作 | 第60页 |
| 5.3 工作展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67页 |
