摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-29页 |
1.1 课题背景 | 第11-13页 |
1.2 CuS基纳米材料的研究现状 | 第13-19页 |
1.2.1 CuS纳米晶 | 第14-16页 |
1.2.2 掺杂CuS基多元纳米晶体 | 第16-19页 |
1.3 CuS基晶体结构及相图 | 第19-20页 |
1.3.1 CuS二元相图 | 第19页 |
1.3.2 Cu-Pb-Sb-S化合物四元相图 | 第19-20页 |
1.4 多元硫化铜基纳米晶反应路线研究现状 | 第20-23页 |
1.4.1 AC+BC=ABC | 第20-21页 |
1.4.2 AC+B~(n+)=ABC | 第21-22页 |
1.4.3 D_1D_2+A~(n+)=AD_1D_2,D_1D_2+A~(n+)+D~(m+)=AD1D2C | 第22-23页 |
1.5 化学理论基础 | 第23-26页 |
1.5.1 柯肯达尔效应 | 第23-24页 |
1.5.2 离子交换法 | 第24-25页 |
1.5.3 奥斯特瓦尔德熟化 | 第25-26页 |
1.6 经典成核理论 | 第26-27页 |
1.7 氯元素(Cl)掺杂硫属化合物 | 第27-28页 |
1.8 本课题的研究内容及意义 | 第28-29页 |
第2章 实验材料及研究方法 | 第29-32页 |
2.1 实验材料及仪器设备 | 第29-30页 |
2.1.1 主要化学试剂 | 第29页 |
2.1.2 实验仪器 | 第29-30页 |
2.2 水热/溶剂热方法 | 第30页 |
2.3 材料表征与性能测试 | 第30-32页 |
2.3.1 物相分析 | 第30页 |
2.3.2 微观形貌分析 | 第30页 |
2.3.3 红外光谱分析 | 第30-31页 |
2.3.4 霍尔效应 | 第31-32页 |
第3章 Cu-Sb-S三元具有分级结构的纳米片组装体的制备及其机理研究 | 第32-49页 |
3.1 引言 | 第32页 |
3.2 Cu_3SbS_4样品的溶剂热制备 | 第32-35页 |
3.2.1 Cu_3SbS_4样品的制备 | 第32-33页 |
3.2.2 Cu_3SbS_4样品的表征 | 第33-35页 |
3.3 Cu-Sb-S三元纳米晶的溶剂热实验参数研究 | 第35-41页 |
3.3.1 反应温度的影响 | 第36-37页 |
3.3.2 反应时间的影响 | 第37-38页 |
3.3.3 掺杂Sb量的影响 | 第38-39页 |
3.3.4 KOH掺杂量的影响 | 第39-41页 |
3.3.5 加入不同铜源的影响 | 第41页 |
3.4 生长机理探究 | 第41-43页 |
3.5 Cu_3SbS_4三元纳米晶电学性能测试 | 第43-46页 |
3.6 Cu_3SbS_4三元纳米晶光学性质的研究 | 第46-47页 |
3.7 本章小结 | 第47-49页 |
第4章 Cu-Pb-Sb-S四元纳米晶的制备及其机理研究 | 第49-63页 |
4.1 引言 | 第49页 |
4.2 CuS掺Pb,Sb四元纳米晶的制备 | 第49-53页 |
4.2.1 样品的制备 | 第49-50页 |
4.2.2 样品的表征 | 第50-53页 |
4.3 Cu-Pb-Sb-S三元纳米晶的溶剂热实验参数研究 | 第53-59页 |
4.3.1 掺杂Pb量的影响 | 第53-54页 |
4.3.2 掺杂KOH量的影响 | 第54-55页 |
4.3.3 反应时间的影响 | 第55-56页 |
4.3.4 反应温度的影响 | 第56-57页 |
4.3.5 缺失实验的影响 | 第57-58页 |
4.3.6 表面活性剂的影响 | 第58-59页 |
4.4 反应机理 | 第59-61页 |
4.5 电学性能的测试 | 第61-62页 |
4.6 本章小结 | 第62-63页 |
结论 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-70页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第70-72页 |
致谢 | 第72页 |