| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 Si基热电材料 | 第10-12页 |
| 1.1.1 热电材料 | 第10-11页 |
| 1.1.2 Si作为热电材料的研究 | 第11页 |
| 1.1.3 多孔硅作为热电材料的研究 | 第11-12页 |
| 1.2 多孔硅的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.2.1 无电极化学腐蚀法 | 第12页 |
| 1.2.2 贵金属辅助腐蚀法 | 第12-13页 |
| 1.2.3 电化学腐蚀法 | 第13页 |
| 1.3 选题依据以及研究内容 | 第13-14页 |
| 1.4 本章小结 | 第14-15页 |
| 2 样品的制备与表征技术 | 第15-19页 |
| 2.1 实验设备技术 | 第15页 |
| 2.2 样品表征技术 | 第15-16页 |
| 2.2.1 结构和成分表征技术 | 第15-16页 |
| 2.2.2 形貌表征技术 | 第16页 |
| 2.2.3 热电性能表征技术 | 第16页 |
| 2.2.4 磁性表征技术 | 第16页 |
| 2.3 样品的制备流程 | 第16-17页 |
| 2.4 实验样品原料及试剂 | 第17页 |
| 2.5 样品的制备技术 | 第17-18页 |
| 2.6 本章小结 | 第18-19页 |
| 3 单层有序模板的制备与研究 | 第19-22页 |
| 3.1 有序模板的制备 | 第19-21页 |
| 3.1.1 Si O2微球的制备 | 第19-20页 |
| 3.1.2 单层Si O2微球模板的制备 | 第20-21页 |
| 3.2 本章小结 | 第21-22页 |
| 4 无电极化学腐蚀制备多孔硅与性能研究 | 第22-26页 |
| 4.1 多孔硅的制备 | 第22-24页 |
| 4.1.1 硅片的清洗 | 第22页 |
| 4.1.2 以Si O2微球为模板制备多孔硅 | 第22-24页 |
| 4.2 多孔硅的热电性能研究 | 第24-25页 |
| 4.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 5 电化学腐蚀制备多孔硅与性能研究 | 第26-49页 |
| 5.1 多孔硅的制备与研究 | 第26-40页 |
| 5.1.1 直接腐蚀样品的制备 | 第26-33页 |
| 5.1.2 直接腐蚀多孔硅的性能研究 | 第33-40页 |
| 5.2 以Si O2微球为模板多孔硅的制备与研究 | 第40-48页 |
| 5.2.1 以Si O2微球为模板样品的制备 | 第40-42页 |
| 5.2.2 以Si O2微球为模板多孔硅的性能研究 | 第42-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第57页 |