| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 前言 | 第11-12页 |
| 1.2 透明导体氧化物的研究意义 | 第12-14页 |
| 1.2.1 透明导体氧化物薄膜在Flat panel Display (FPD)上的应用 | 第12-13页 |
| 1.2.2 透明导体氧化物薄膜在太阳能电池（Solar Cells）上的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.3 透明导体氧化物薄膜在智能窗口上的应用 | 第14页 |
| 1.3 透明导体氧化物薄膜的存在的问题 | 第14-19页 |
| 1.3.1 In_2O_3基透明导体氧化物薄膜存在的问题 | 第16-17页 |
| 1.3.2 SnO_2基透明导体氧化物薄膜存在的问题 | 第17-19页 |
| 1.3.3 ZnO基透明导体氧化物薄膜存在的问题 | 第19页 |
| 1.4 透明半导体氧化物薄膜的应用 | 第19-20页 |
| 1.4.1 TFT-LCD显示技术 | 第20页 |
| 1.4.2 TFT-OLED显示技术 | 第20页 |
| 1.5 透明半导体氧化物TFT纯在的问题 | 第20-23页 |
| 1.5.1 ZnO-TFT存在的问题 | 第21-22页 |
| 1.5.2 IGZO-TFT存在的问题 | 第22-23页 |
| 1.6 本文研究的重点 | 第23-25页 |
| 第2章 透明导体/半导体氧化物的材料、物理以及制备 | 第25-56页 |
| 2.1 透明导体/半导体氧化物材料基础 | 第25-32页 |
| 2.1.1 In_2O_3的基本性质 | 第28-30页 |
| 2.1.2 SnO_2的基本性质 | 第30-31页 |
| 2.1.3 ZnO的基本性质 | 第31-32页 |
| 2.2 透明导体氧化物的理论研究 | 第32-41页 |
| 2.2.1 掺杂提高透明导体氧化物的导电性 | 第32-34页 |
| 2.2.2 载流子浓度对光学性能的影响 | 第34-41页 |
| 2.3 理论设计透明导体氧化物薄膜 | 第41-46页 |
| 2.3.1 SnO_2基透明导体氧化物薄膜的设计 | 第41-46页 |
| 2.3.2 ZnO基透明导体氧化物薄膜的设计 | 第46页 |
| 2.4 透明半导体氧化物的理论研究 | 第46-50页 |
| 2.4.1 透明半导体氧化物薄膜的应用要求 | 第46-48页 |
| 2.4.2 透明半导体氧化物薄膜的材料机理与设计 | 第48-50页 |
| 2.5 两种常见的透明氧化物导体/半导体薄膜制备技术 | 第50-55页 |
| 2.5.1 真空热蒸发法 | 第50-54页 |
| 2.5.2 磁控溅射法 | 第54-55页 |
| 2.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第3章 SnO_2基透明导电氧化物薄膜 | 第56-69页 |
| 3.1 SnO_2:Pr F3透明导体氧化物薄膜的制备 | 第56-57页 |
| 3.2 SnO_2 :Pr F3透明导体氧化物薄膜的性能表征 | 第57-63页 |
| 3.2.1 SnO_2:Pr F3薄膜的导电性 | 第57-59页 |
| 3.2.2 SnO_2:Pr F3薄膜的表面形貌 | 第59-60页 |
| 3.2.3 SnO_2:Pr F3薄膜的的晶态结构 | 第60-61页 |
| 3.2.4 SnO_2:Pr F3薄膜的表面功函数 | 第61-62页 |
| 3.2.5 SnO_2:Pr F3薄膜的透过率 | 第62-63页 |
| 3.3 SnO_2 :SrF_2透明导体氧化物薄膜的制备 | 第63页 |
| 3.4 SnO_2 :SrF_2透明导体氧化物的性能表征 | 第63-68页 |
| 3.4.1 SnO_2:SrF_2薄膜的电学性能 | 第63-64页 |
| 3.4.2 SnO_2:SrF_2薄膜的的表面形貌 | 第64-65页 |
| 3.4.3 SnO_2:SrF_2薄膜的晶态结构 | 第65-66页 |
| 3.4.4 SnO_2:SrF_2薄膜的透过率 | 第66-68页 |
| 3.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第4章 ZnO基透明导体氧化物薄膜 | 第69-80页 |
| 4.1 氧化物陶瓷靶材的制备 | 第69-74页 |
| 4.1.1 Al_2O_3掺杂的ZnO陶瓷烧结 | 第70-71页 |
| 4.1.2 掺杂氟化物的ZnO陶瓷烧结 | 第71-72页 |
| 4.1.3 多元掺杂的ZnO陶瓷烧结 | 第72-74页 |
| 4.2 YTVZO透明导体氧化物薄膜的制备 | 第74-75页 |
| 4.3 YTVZO透明导体氧化物薄膜的性能表征 | 第75-79页 |
| 4.3.1 YTVZO薄膜的电学性能 | 第75-76页 |
| 4.3.2 YTVZO薄膜的表面形貌 | 第76-77页 |
| 4.3.3 YTVZO靶材与薄膜的晶态结构 | 第77-78页 |
| 4.3.4 YTVZO薄膜的透过率 | 第78-79页 |
| 4.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 第5章 ZnO基半导体薄膜的研制及其应用 | 第80-91页 |
| 5.1 SrZnO和ZnO半导体氧化物薄膜及其TFT的制备 | 第80-82页 |
| 5.2 SrZnO和ZnO半导体氧化物的性能表征 | 第82-86页 |
| 5.2.1 SrZnO和ZnO靶材表面与结构 | 第82-83页 |
| 5.2.2 SrZnO和ZnO薄膜表面特征 | 第83-86页 |
| 5.3 SrZnO和ZnO基TFT的性能表征 | 第86-89页 |
| 5.3.1 不同退火温度对SrZnO TFT的影响 | 第86-87页 |
| 5.3.2 SrZnO和ZnO基TFT的转移特性 | 第87-89页 |
| 5.3.3 SrZnO和ZnO基TFT的输出特性 | 第89页 |
| 5.4 本章小结 | 第89-91页 |
| 第6章 总结与展望 | 第91-94页 |
| 6.1 总结 | 第91-92页 |
| 6.2 展望 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-105页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第105-106页 |
| 指导教师及作者简介 | 第106-108页 |
| 指导教师简介 | 第106-107页 |
| 作者简介 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
