| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-36页 |
| 1.1 紫外辐射与紫外探测器 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体紫外光电探测器的基本原理和性能参数 | 第11-24页 |
| 1.3 ZnMgO的物理特性及其紫外探测器的研究进展 | 第24-32页 |
| 1.4 混相ZnMgO紫外探测器的优势及存在的问题 | 第32-34页 |
| 1.5 论文的选题依据和研究内容 | 第34-36页 |
| 第2章 ZnMgO材料及MSM器件的制备方法与表征手段 | 第36-48页 |
| 2.1 ZnMgO薄膜材料的制备方法 | 第36-39页 |
| 2.2 MSM器件的制备工艺 | 第39-40页 |
| 2.3 薄膜性质和器件性能表征手段 | 第40-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第3章 具有单一吸收边的混相ZnMgO薄膜的制备和特性研究 | 第48-64页 |
| 3.1 单相ZnMgO薄膜的制备 | 第48-50页 |
| 3.2 单相ZnMgO薄膜的表面、结构以及光学特性的研究 | 第50-54页 |
| 3.3 具有单一吸收边的混相ZnMgO薄膜的制备 | 第54页 |
| 3.4 具有单一吸收边的混相ZnMgO薄膜的表面、结构以及光学特性的研究 | 第54-59页 |
| 3.5 具有单一吸收边的混相ZnMgO薄膜的生长机理探究 | 第59-63页 |
| 3.6 本章小结 | 第63-64页 |
| 第4章 混相ZnMgO紫外探测器的制备和特性研究 | 第64-82页 |
| 4.1 MSM 结构混相 ZnMgO紫外探测器的制备 | 第64-66页 |
| 4.2 MSM结构混相ZnMgO紫外探测器的光电特性研究 | 第66-70页 |
| 4.3 混相ZnMgO紫外探测器的低暗电流和高响应度机制探究 | 第70-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 第5章 混相ZnMgO紫外探测器和其他ZnMgO器件的性能对比 | 第82-95页 |
| 5.1 立方相 Zn Mg O 紫外探测器的制备和特性研究 | 第82-87页 |
| 5.2 六角相ZnMgO紫外探测器的制备和特性研究 | 第87-91页 |
| 5.3 混相ZnMgO紫外探测器和其他ZnMgO紫外探测器性能对比 | 第91-94页 |
| 5.4 本章小结 | 第94-95页 |
| 第6章 结论与展望 | 第95-98页 |
| 6.1 全文总结 | 第95-96页 |
| 6.2 研究展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-110页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第110-111页 |
| 指导教师及作者简介 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
