| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 Weyl半金属 | 第8-14页 |
| 1.1.1 费米弧 | 第10页 |
| 1.1.2 手性反常 | 第10-12页 |
| 1.1.3 手性反常导致的磁阻与反常hall效应 | 第12-13页 |
| 1.1.4 非局域性 | 第13页 |
| 1.1.5 第一类Weyl半金属和第二类Weyl半金属 | 第13-14页 |
| 1.2 2维超导体 | 第14-20页 |
| 1.2.1 2D超导体的量子金属态 | 第17页 |
| 1.2.2 增强的上临界磁场 | 第17-20页 |
| 第二章 样品制备与测量仪器 | 第20-28页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 NbIrTe_4样品的生长以及薄层器件微加工制备 | 第20-22页 |
| 2.3 化学气相沉积生长过渡金属硫化物纳米薄片 | 第22-23页 |
| 2.4 低温测量仪器 | 第23-28页 |
| 第三章 拓扑半金属NbIrTe_4的低温输运研究 | 第28-40页 |
| 3.1 引言 | 第28-33页 |
| 3.1.1 SdH振荡 | 第29-30页 |
| 3.1.2 磁电阻与Hall电阻：二能带模型 | 第30-31页 |
| 3.1.3 拓扑材料中的Berry P hase | 第31-33页 |
| 3.2 NbIrTe_4基本输运性质 | 第33-35页 |
| 3.3 NbIrTe_4中SdH随温度的依赖关系 | 第35-36页 |
| 3.4 NbIrTe_4中SdH随角度的依赖关系 | 第36-40页 |
| 第四章 CVD生长的过渡金属硫化物纳米薄片超导增强现象 | 第40-54页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 MoTe_2纳米薄片的超导性质 | 第41-47页 |
| 4.3 MoTe_(2?x)Se_x纳米薄片的超导性质 | 第47-49页 |
| 4.4 NbSe_2纳米薄片的超导性质 | 第49-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-68页 |
| 个人简历 | 第68-70页 |
| 发表文章目录 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
