| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 原子层沉积(ALD)技术 | 第12-22页 |
| 1.1.1 ALD的原理与特点 | 第12-15页 |
| 1.1.2 等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术简介 | 第15-18页 |
| 1.1.3 ALD/PEALD制备金属材料 | 第18-22页 |
| 1.2 在AAO模板中沉积纳米材料的理论模拟 | 第22-26页 |
| 1.2.1 蒙特卡罗模拟 | 第23-24页 |
| 1.2.2 AAO模板内沉积纳米材料的理论模型 | 第24-26页 |
| 1.3 CoPt合金磁存储材料 | 第26-29页 |
| 1.3.1 磁记录技术的发展 | 第26-27页 |
| 1.3.2 磁性材料的选择 | 第27-28页 |
| 1.3.3 FePt/CoPt磁记录材料简介 | 第28-29页 |
| 1.4 本论文的研究目的及主要研究内容 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-36页 |
| 第二章 ALD制备工艺和主要表征方法 | 第36-47页 |
| 2.1 样品制备工艺 | 第36-41页 |
| 2.1.1 实验所用ALD/PEALD系统简介 | 第36-39页 |
| 2.1.2 ALD所用反应前驱体 | 第39-40页 |
| 2.1.3 衬底及清洗工艺 | 第40-41页 |
| 2.2 实验表征方法 | 第41-47页 |
| 2.2.1 ALD原位监测生长设备 | 第41-42页 |
| 2.2.2 基本物性分析 | 第42-44页 |
| 2.2.3 晶体结构分析 | 第44-45页 |
| 2.2.4 形貌分析 | 第45-46页 |
| 2.2.5 磁学性能表征 | 第46-47页 |
| 第三章 贵金属纳米薄膜的ALD制备与AAO模板内的生长研究 | 第47-71页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 ALD制备Ir纳米薄膜的工艺及生长特性 | 第48-59页 |
| 3.2.1 前驱体Ir(acac)_3的物性表征 | 第48-50页 |
| 3.2.2 样品制备工艺 | 第50-51页 |
| 3.2.3 衬底对ALD沉积Ir纳米薄膜的影响 | 第51-54页 |
| 3.2.4 Ir源脉冲时间和O_2流量对ALD生长Ir的影响 | 第54-59页 |
| 3.3 AAO模板内ALD沉积贵金属的生长研究 | 第59-67页 |
| 3.3.1 AAO模板内沉积Ir的生长研究 | 第59-64页 |
| 3.3.2 在AAO模板内沉积金属可能的影响因素 | 第64-66页 |
| 3.3.3 AAO模板内沉积Pt的生长研究 | 第66-67页 |
| 3.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 第四章 PEALD/ALD制备金属Co、CoPt_x纳米薄膜的生长研究 | 第71-85页 |
| 4.1 引言 | 第71页 |
| 4.2 PEALD沉积金属Co的生长研究 | 第71-77页 |
| 4.2.1 样品制备工艺 | 第71-73页 |
| 4.2.2 金属前驱体与衬底对金属Co沉积的影响 | 第73-76页 |
| 4.2.3 反应气对金属Co沉积的影响 | 第76-77页 |
| 4.3 PEALD/ALD沉积CoPt_x纳米复合薄膜的生长研究 | 第77-83页 |
| 4.3.1 CoPt_x纳米复合薄膜的制备与表征 | 第77-82页 |
| 4.3.2 CoPt_x纳米复合薄膜的磁性能 | 第82-83页 |
| 4.4 本章小结 | 第83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第五章 结论与展望 | 第85-88页 |
| 5.1 结论 | 第85-86页 |
| 5.2 展望 | 第86-88页 |
| 攻读硕士期间学术成果 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
