| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 铌合金 | 第13-14页 |
| 1.3 铌-硅基自生复合材料及其制备技术 | 第14-17页 |
| 1.4 铌-硅基自生复合材料的研究进展 | 第17-22页 |
| 1.4.1 铌-硅基自生复合材料的成分设计 | 第17-18页 |
| 1.4.2 合金元素对铌-硅基自生复合材料组织和性能影响 | 第18-22页 |
| 1.5 激光表面工程与激光烙覆 | 第22-24页 |
| 1.5.1 激光烙覆特点 | 第22-23页 |
| 1.5.2 激光烙覆翰层研究现状 | 第23-24页 |
| 1.5.2.1 激光炼覆材料体系研究现状 | 第23-24页 |
| 1.5.3 多层激光炼覆铌-硅基自生复合材料含金元素的选择 | 第24页 |
| 1.6 本课题研究的目的及意义 | 第24-26页 |
| 第2章 实验方法 | 第26-34页 |
| 2.1 实验设计 | 第26页 |
| 2.2 实验材料的选择 | 第26-27页 |
| 2.2.1 基体材料 | 第26页 |
| 2.2.2 激光烙覆材料 | 第26-27页 |
| 2.3 激光烙覆实验 | 第27-32页 |
| 2.3.1 实验设备 | 第27-30页 |
| 2.3.2 实验原理 | 第30-31页 |
| 2.3.3 YAG激光机实验参数 | 第31页 |
| 2.3.4 半导体激光器实验参数 | 第31-32页 |
| 2.4 实验检测方法及设备 | 第32-34页 |
| 2.4.1 涂层表面形貌和显微组织表征 | 第32-33页 |
| 2.4.2 涂层物相分析 | 第33页 |
| 2.4.3 涂层显微硬度测量 | 第33页 |
| 2.4.4 抗氧化性能测试 | 第33-34页 |
| 第3章 YAG激光溶覆铌-硅基自生复合材料的研究 | 第34-48页 |
| 3.1 YAG激光单道烙覆参数的优化 | 第34-35页 |
| 3.2 YAG多道激光烙覆参数-搭接率的优化 | 第35-36页 |
| 3.3 YAG激光炼覆铌-硅基自生复合材料物相及显微组织分析 | 第36-46页 |
| 3.3.1 YAG激光烙覆Nb-18Si-24Ti (at.%)物相分析 | 第36-38页 |
| 3.3.2 YAG多层激光烙覆Nb-18Si-24Ti (at.%)显微组织分析 | 第38-42页 |
| 3.3.3 YAG激光烙覆Nb-18Si-24Ti-6Cr (at.%)的XRD分析 | 第42-43页 |
| 3.3.4 YAG多层激光烙覆Nb-18Si-24Ti-6Cr (at.%)显微组织分析 | 第43-46页 |
| 3.4 YAG激光烙覆铌-硅基自生复合材料硬度分析 | 第46-48页 |
| 第4章 半导体激光爆覆铌-硅基自生复合材料的研究 | 第48-80页 |
| 4.1 半导体激光单道激光烙覆参数优化 | 第48-49页 |
| 4.2 半导体多层激光烙覆Nb-Si-Ti (Ti-Y)体系的研究 | 第49-64页 |
| 4.2.1半导体激光烙覆Nb-18Si-24Ti (at%)物相分析 | 第52-53页 |
| 4.2.2 半导体激光溶覆Nb-18Si-24Ti (at.%)显微组织分析 | 第53-55页 |
| 4.2.3 半导体激光烙覆Nb-18Si-24Ti-lY (at.%)物相分析 | 第55-56页 |
| 4.2.4 半导体激光烙覆Nb-18Si-24Ti-lY (at.%)的显微纽织分析 | 第56-60页 |
| 4.2.5 半导体激光烙覆Nb-Si-Ti基的TEM分析 | 第60-64页 |
| 4.3 半导体多层激光烙覆Nb-Si-Ti-Cr (Cr-Y)体系的研究 | 第64-72页 |
| 4.3.1 半导体激光烧覆Nb-Si-Ti-Cr基的XRD分析 | 第64-65页 |
| 4.3.2 半导体激光烙覆Nb-18Si-24Ti-6Cr (at.%)显微组织分析 | 第65-67页 |
| 4.3.3 半导体激光烙覆Nb-18Si-20Ti-10Cr (at.%)显微组织分析 | 第67-69页 |
| 4.3.4 半导体激光炼覆Nb-18Si-20Ti-10Cr-lY (at.%)显微组织分化 | 第69-71页 |
| 4.3.5 半导体激光炼覆Nb-Si-Ti-Cr (at.%)基的TEM分析 | 第71-72页 |
| 4.4 半导体多层激光炼覆铌-硅基自生复合材料硬度分析 | 第72-73页 |
| 4.5 半导体多层激光烙覆铌-硅基自生复合材料的抗氧化性能分析 | 第73-80页 |
| 第5章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
