| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 基于GeTe薄膜相变材料的微波开关工作原理 | 第12-14页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4 GeTe应用于微波开关存在的问题及解决方法 | 第17页 |
| 1.5 选题依据及研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜制备及测试手段简介 | 第18-21页 |
| 2.1 GeTe薄膜的制备 | 第18-19页 |
| 2.2 薄膜性能分析手段 | 第19-21页 |
| 第三章 GeTe薄膜制备工艺及性能研究 | 第21-46页 |
| 3.1 GeTe薄膜制备工艺的研究 | 第21-23页 |
| 3.2 结构分析 | 第23-36页 |
| 3.2.1 XRD分析 | 第23-25页 |
| 3.2.2 拉曼光谱分析 | 第25-26页 |
| 3.2.3 AFM分析 | 第26-29页 |
| 3.2.4 紫外分析 | 第29-30页 |
| 3.2.5 相变激活能测试 | 第30-31页 |
| 3.2.6 霍尔测试 | 第31-33页 |
| 3.2.7 退火条件对薄膜电阻率的影响 | 第33页 |
| 3.2.8 阻抗谱分析 | 第33-36页 |
| 3.3 电性能分析 | 第36-45页 |
| 3.3.1 非晶态到晶态的触发机理 | 第36-37页 |
| 3.3.2 从晶态到非晶态的触发机理 | 第37-38页 |
| 3.3.3 上下电极结构（MIM）的器件原型制备 | 第38-39页 |
| 3.3.4 R-T特性 | 第39-40页 |
| 3.3.5 I-V特性 | 第40页 |
| 3.3.6 R-V特性 | 第40-43页 |
| 3.3.7 R-t特性 | 第43-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 基于GeTe薄膜的微波开关的设计和仿真 | 第46-59页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 相变材料微波开关的工作机理 | 第46-47页 |
| 4.3 微波开关的主要性能参数 | 第47页 |
| 4.4 热电性能仿真 | 第47-50页 |
| 4.4.1 热电性能仿真的基本原理 | 第48页 |
| 4.4.2 热电仿真的结构及仿真结果 | 第48-50页 |
| 4.5 微波性能仿真 | 第50-58页 |
| 4.5.1 仿真参数设计 | 第51-52页 |
| 4.5.2 有加热单元的器件仿真 | 第52-55页 |
| 4.5.3 无加热单元的器件仿真 | 第55-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 微波开关器件制备与测试 | 第59-68页 |
| 5.1 光刻工艺流程简介 | 第59-61页 |
| 5.2 传输线图形制备 | 第61-63页 |
| 5.3 功能薄膜GeTe图形化 | 第63-65页 |
| 5.4 开关微波性能的测试 | 第65-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 结论 | 第68-69页 |
| 6.2 展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士学位期间取得的的成果 | 第75-76页 |