| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·硅异质结电池概述 | 第12-18页 |
| ·高效HIT太阳电池的结构和特点 | 第12-16页 |
| ·双面HIT太阳电池 | 第12-15页 |
| ·HIT-IBC太阳电池 | 第15-16页 |
| ·HIT电池与PERL电池的比较 | 第16-18页 |
| ·硅异质结电池的能带结构和工作原理 | 第18页 |
| ·国内外研究现状 | 第18-22页 |
| ·本论文研究思路及主要内容 | 第22-25页 |
| 第二章 氢化纳米硅薄膜的制备与表征 | 第25-39页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的特性 | 第25页 |
| ·PECVD法制备氢化纳米晶硅薄膜 | 第25-30页 |
| ·PECVD设备简介 | 第26-27页 |
| ·薄膜沉积的化学反应 | 第27-29页 |
| ·纳米晶硅薄膜的生长机制 | 第29-30页 |
| ·纳米晶硅薄膜的表征 | 第30-35页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第30-31页 |
| ·薄膜的电学性能测试 | 第31页 |
| ·薄膜的光学性能测试 | 第31-32页 |
| ·拉曼散射光谱 | 第32-33页 |
| ·傅立叶变换红外吸收谱 | 第33-34页 |
| ·小角X射线衍射仪 | 第34-35页 |
| ·透射电子显微镜 | 第35页 |
| ·太阳电池性能的测试方法 | 第35-39页 |
| ·光态I-V特性测试 | 第35-36页 |
| ·量子效率测试 | 第36页 |
| ·少子寿命测试仪 | 第36-37页 |
| ·电池的光致发光谱测试 | 第37-39页 |
| 第三章 用于SHJ太阳电池p型nc-Si: H薄膜的制备与优化 | 第39-63页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·实验部分 | 第40-41页 |
| ·p型纳米晶硅薄膜的制备与表征 | 第40页 |
| ·SHJ太阳电池的制备与测试 | 第40-41页 |
| ·氢稀释对p型nc-Si: H薄膜性能的影响 | 第41-46页 |
| ·氢稀释对p型nc-Si: H薄膜微结构的影响 | 第41-44页 |
| ·Raman谱分析 | 第41-43页 |
| ·SAXD谱分析 | 第43-44页 |
| ·氢稀释对p型nc-Si: H薄膜光电特性的影响 | 第44-46页 |
| ·氢稀释对薄膜光学性能的影响 | 第44-45页 |
| ·氢稀释对薄膜电学性能的影响 | 第45-46页 |
| ·硼掺杂对p型nc-Si: H薄膜性能的影响 | 第46-52页 |
| ·硼掺杂对p型nc-Si: H薄膜微结构的影响 | 第46-50页 |
| ·Raman谱分析 | 第46-47页 |
| ·SAXD分析 | 第47-49页 |
| ·HRTEM分析 | 第49-50页 |
| ·硼掺杂对p型nc-Si: H薄膜光电特性的影响 | 第50-52页 |
| ·硼掺杂对薄膜光学性能的影响 | 第50-51页 |
| ·硼掺杂对薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
| ·p型nc-Si: H薄膜中的氢 | 第52-55页 |
| ·薄膜厚度对p型nc-Si: H薄膜性能的影响 | 第55-59页 |
| ·薄膜厚度对p型nc-Si: H薄膜微结构的影响 | 第55-58页 |
| ·Raman谱分析 | 第55-57页 |
| ·HRTEM分析 | 第57-58页 |
| ·薄膜厚度对p型nc-Si: H薄膜电学性质的影响 | 第58-59页 |
| ·p型nc-Si: H薄膜对SHJ电池性能的影响 | 第59-61页 |
| ·窗口层分别为nc-Si: H(p)和a-Si: H(p)的SHJ电池比较 | 第59-60页 |
| ·p型nc-Si: H薄膜的厚度对电池性能的影响 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 nc-Si: H/c-Si SHJ太阳电池中本征硅薄膜钝化层的制备与性能 | 第63-77页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·实验部分 | 第64页 |
| ·硅烷浓度对本征硅薄膜性能的影响 | 第64-70页 |
| ·硅烷浓度对本征硅薄膜微结构的影响 | 第64-67页 |
| ·Raman分析 | 第64-66页 |
| ·FTIR分析 | 第66-67页 |
| ·硅烷浓度对本征硅薄膜光电性能的影响 | 第67-69页 |
| ·硅烷浓度对本征硅薄膜光学性能的影响 | 第67-68页 |
| ·硅烷浓度对本征硅薄膜电学性能的影响 | 第68-69页 |
| ·制绒硅衬底上本征硅薄膜的均匀性分析 | 第69-70页 |
| ·本征硅薄膜对硅片的钝化 | 第70-72页 |
| ·硅烷浓度对本征硅薄膜钝化性能的影响 | 第70-71页 |
| ·薄膜厚度对本征硅薄膜钝化性能的影响 | 第71-72页 |
| ·本征硅薄膜钝化层在nc-Si: H/c-Si SHJ电池上的应用 | 第72-75页 |
| ·硅烷浓度对SHJ电池开路电压的影响 | 第72-73页 |
| ·a-Si: H(i)钝化层的厚度对SHJ电池性能的影响 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 湿化学钝化及氢后处理对nc-Si: H/c-Si SHJ太阳电池性能的影响 | 第77-87页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·实验部分 | 第78-79页 |
| ·制绒硅片的湿化学钝化方案 | 第78页 |
| ·界面的氢处理 | 第78-79页 |
| ·湿化学钝化对电池开路电压的影响 | 第79-81页 |
| ·氢处理对电池开路电压的影响 | 第81-84页 |
| ·氢预处理对电池开压的影响 | 第81页 |
| ·氢后处理对电池开压的影响 | 第81-84页 |
| ·148cm~2高效nc-Si: H/c-Si异质结太阳电池 | 第84-86页 |
| ·148cm~2双面nc-Si: H/c-Si SHJ太阳电池的制备 | 第84-85页 |
| ·结果与讨论 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第六章 结论 | 第87-91页 |
| 参考文献 | 第91-99页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
