基于0.18-μm CMOS工艺的10GHz压控振荡器的研究与设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·射频集成电路发展历程 | 第7-9页 |
| ·压控振荡器简介 | 第9-11页 |
| ·VCO 的历史 | 第9-10页 |
| ·VCO 的研究现状 | 第10-11页 |
| ·本文的研究内容及章节安排 | 第11-13页 |
| 第二章 压控振荡器基本原理 | 第13-23页 |
| ·压控振荡器概述 | 第13-14页 |
| ·压控振荡器的振荡原理 | 第14-15页 |
| ·压控振荡器典型电路 | 第15-19页 |
| ·LC 振荡器 | 第15-17页 |
| ·环形振荡器 | 第17-19页 |
| ·VCO 的相位噪声 | 第19-22页 |
| ·相位噪声基本概念 | 第19页 |
| ·相位噪声的来源 | 第19-20页 |
| ·相位噪声理论模型 | 第20-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第三章 环形压控振荡器设计重点 | 第23-34页 |
| ·CMOS 射频MOS 晶体管 | 第23-28页 |
| ·MOS 管结构 | 第23-25页 |
| ·MOS 管I/V 特性 | 第25-26页 |
| ·MOS 管交流小信号模型 | 第26-27页 |
| ·MOS 管噪声模型 | 第27-28页 |
| ·单元延迟电路 | 第28-32页 |
| ·延迟单元的典型结构 | 第28-29页 |
| ·延迟单元的优化技术 | 第29-32页 |
| ·相位噪声 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第四章 10GHz 环形VCO 电路设计原理 | 第34-47页 |
| ·环形VCO 拓扑结构分析 | 第34-35页 |
| ·单元延迟电路分析 | 第35-41页 |
| ·延迟单元结构 | 第35-38页 |
| ·MOS 管尺寸参数确定 | 第38-41页 |
| ·10GHz 环形VCO 相位噪声分析 | 第41-43页 |
| ·10GHz 环形VCO 电路仿真结果 | 第43-46页 |
| ·瞬态分析 | 第43-44页 |
| ·频率特性分析 | 第44-45页 |
| ·相位噪声分析 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第五章 10GHz 环形VCO 版图设计与后仿真 | 第47-59页 |
| ·射频集成电路芯片设计技术 | 第47-50页 |
| ·芯片设计流程 | 第47-48页 |
| ·集成电路版图布局 | 第48-49页 |
| ·集成电路版图布线 | 第49-50页 |
| ·10GHz 环形VCO 版图设计 | 第50-53页 |
| ·10GHz 环形VCO 系统后仿真 | 第53-58页 |
| ·版图验证 | 第53页 |
| ·10GHz 环形VCO 版图后仿真 | 第53-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 作者在攻读硕士期间主要研究成果 | 第64页 |
