| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 图表清单 | 第12-16页 |
| 注释表 | 第16-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-33页 |
| ·太阳电池研究意义 | 第17-19页 |
| ·太阳电池发展状况简介 | 第19-21页 |
| ·晶体硅太阳电池简介 | 第21-26页 |
| ·晶体硅太阳电池的基本结构及工作原理 | 第21-24页 |
| ·晶硅太阳电池的基本制备工艺 | 第24-26页 |
| ·黑硅及黑硅太阳电池简介 | 第26-32页 |
| ·黑硅及黑硅太阳电池的研究意义 | 第26-27页 |
| ·黑硅的制备方法 | 第27-32页 |
| ·本文的研究内容 | 第32-33页 |
| 第二章 实验方法、性能表征技术及原理 | 第33-50页 |
| ·主要实验设备及原料 | 第33-34页 |
| ·实验方法 | 第34-42页 |
| ·衬底清洗 | 第34页 |
| ·硅表面机械损伤层的去除 | 第34-35页 |
| ·金字塔结构的制备 | 第35页 |
| ·反应离子刻蚀法制备黑硅结构 | 第35-37页 |
| ·Ag 辅助化学腐蚀法制备黑硅结构 | 第37页 |
| ·Ni 辅助化学腐蚀法制备黑硅结构 | 第37-39页 |
| ·黑硅太阳电池的制备 | 第39-42页 |
| ·表征设备及原理 | 第42-50页 |
| ·表征设备 | 第42-43页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第43页 |
| ·紫外可见近红外分光光度计 | 第43-44页 |
| ·能谱仪 | 第44-45页 |
| ·光致发光测试仪 | 第45-46页 |
| ·四探针方块电阻测试仪 | 第46-47页 |
| ·太阳电池外量子效率测试仪 | 第47-48页 |
| ·太阳电池 I-V 特性测试仪 | 第48-50页 |
| 第三章 反应离子刻蚀法制备的单晶黑硅及其性能研究 | 第50-62页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·制备工艺 | 第51页 |
| ·不同刻蚀功率制备的黑硅 | 第51-54页 |
| ·不同F SF6/FO2制备的黑硅 | 第54-57页 |
| ·不同刻蚀时间制备的黑硅 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 Ni 辅助化学腐蚀法制备的单晶黑硅及其性能研究 | 第62-78页 |
| ·前言 | 第62页 |
| ·Ni 辅助化学腐蚀法制备黑硅的工艺 | 第62-63页 |
| ·不同溅射时间制备的 Ni 纳米颗粒 | 第63-64页 |
| ·不同腐蚀温度制备的黑硅 | 第64-68页 |
| ·腐蚀温度对黑硅结构形貌的影响 | 第65-67页 |
| ·腐蚀温度对黑硅光学性能的影响 | 第67-68页 |
| ·不同 H_2O_2浓度制备的黑硅 | 第68-72页 |
| ·H_2O_2浓度对黑硅结构形貌的影响 | 第68-71页 |
| ·H_2O_2浓度对黑硅光学性能的影响 | 第71-72页 |
| ·不同腐蚀时间制备的黑硅 | 第72-74页 |
| ·腐蚀时间对黑硅结构形貌的影响 | 第72-73页 |
| ·腐蚀时间对黑硅光学性能的影响 | 第73-74页 |
| ·Ni 辅助化学腐蚀法制备黑硅的机理 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 Ag 辅助化学腐蚀法制备的单晶黑硅及其性能研究 | 第78-103页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·制备工艺 | 第79-80页 |
| ·不同 Ag 沉积时间制备的黑硅 | 第80-85页 |
| ·Ag 沉积时间对黑硅结构形貌的影响 | 第80-83页 |
| ·Ag 沉积时间对黑硅结构光学性能的影响 | 第83-85页 |
| ·不同 H_2O_2浓度制备的黑硅 | 第85-89页 |
| ·H_2O_2浓度对黑硅结构形貌的影响 | 第85-87页 |
| ·H_2O_2浓度对黑硅结构光学性能的影响 | 第87-89页 |
| ·不同腐蚀温度制备的黑硅 | 第89-94页 |
| ·腐蚀温度对黑硅结构形貌的影响 | 第90-92页 |
| ·腐蚀温度对黑硅结构光学性能的影响 | 第92-94页 |
| ·不同腐蚀时间制备的黑硅 | 第94-98页 |
| ·腐蚀时间对黑硅结构形貌的影响 | 第95-97页 |
| ·腐蚀时间对黑硅结构光学性能的影响 | 第97-98页 |
| ·AgNO_3/HF/H_2O_2体系一步法工艺制备的单晶黑硅 | 第98-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 第六章 Ag 辅助化学腐蚀法制备的大面积多晶黑硅太阳电池及其性能研究 | 第103-113页 |
| ·引言 | 第103页 |
| ·Ag 辅助化学腐蚀法制备多晶黑硅的工艺 | 第103-104页 |
| ·不同 NaOH 扩孔时间制备的多晶黑硅 | 第104-108页 |
| ·Ag 辅助化学腐蚀法制备的多晶黑硅太阳电池 | 第108-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 第七章 结论与展望 | 第113-117页 |
| ·结论 | 第113-115页 |
| ·本文主要创新点 | 第115页 |
| ·展望 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第128-130页 |
