氮化镓异质结电子输运特性的研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·Ⅲ族氮化物 | 第13-19页 |
| ·特点和应用 | 第13-16页 |
| ·结构性质 | 第16-18页 |
| ·外延生长 | 第18-19页 |
| ·GaN基高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT) | 第19-24页 |
| ·概述 | 第19-21页 |
| ·二维电子气的来源 | 第21页 |
| ·二维电子气状态的计算方法 | 第21-22页 |
| ·二维电子气的散射 | 第22-24页 |
| ·本论文选题依据及研究内容 | 第24-26页 |
| 2 氮化镓异质结的子带结构 | 第26-47页 |
| ·AlGaN/GaN异质结结构及极化电荷 | 第26-29页 |
| ·有效质量近似 | 第29-31页 |
| ·维电子气中电子子带计算方法 | 第31-40页 |
| ·Airy函数 | 第32-34页 |
| ·Fang-Howard变分法 | 第34-35页 |
| ·迭代法 | 第35-38页 |
| ·自洽求解泊松和薛定谔方程 | 第38-40页 |
| ·打靶法确定异质结的费米能级 | 第40-46页 |
| ·打靶法 | 第40-41页 |
| ·体系费米能级 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 3 氮化镓异质结中电子的迁移率和散射机制 | 第47-59页 |
| ·电导率和迁移率 | 第47-48页 |
| ·微扰势引起的状态间的跃迁 | 第48-49页 |
| ·散射对二维电子气迁移率的限制 | 第49-51页 |
| ·主要散射机制 | 第51-57页 |
| ·界面粗糙散射 | 第51-54页 |
| ·合金无序散射 | 第54-55页 |
| ·极性光学波散射 | 第55-57页 |
| ·温度对散射的影响 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 4 氮化镓异质结表面粗糙散射 | 第59-68页 |
| ·物理意义 | 第59页 |
| ·处理方法 | 第59-61页 |
| ·表面粗糙散射所限制的迁移率 | 第61-64页 |
| ·与表面粗糙参数的关系 | 第61-63页 |
| ·与AlGaN势垒层厚度的关系 | 第63-64页 |
| ·本章方法在一维体系的应用 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 5 氮化镓异质结界面失配位错散射 | 第68-78页 |
| ·物理意义 | 第68-69页 |
| ·处理方法 | 第69-73页 |
| ·界面失配位错产生的面电荷 | 第69-72页 |
| ·散射作用 | 第72-73页 |
| ·界面失配位错散射所限制的迁移率 | 第73-76页 |
| ·与AlGaN势垒层厚度的关系 | 第73-74页 |
| ·与Al摩尔组分的关系 | 第74-76页 |
| ·与温度的关系 | 第76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 6 多种散射机制的对比及其对总迁移率的贡献 | 第78-88页 |
| ·总迁移率 | 第78-81页 |
| ·AlGaN势垒层厚度对各种散射机制的影响 | 第78-80页 |
| ·温度对各种散射机制的影响 | 第80-81页 |
| ·表面粗糙散射和界面失配位错散射的对比 | 第81-84页 |
| ·计算得到的迁移率与实验数据的对比 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 7 结论 | 第88-91页 |
| 参考文献 | 第91-98页 |
| 作者简历 | 第98-100页 |
| 学位论文数据集 | 第100页 |
