| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·半导体纳米材料 | 第10-12页 |
| ·半导体纳米线pn结及其应用 | 第12-14页 |
| ·论文的结构安排 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第二章 纳米线pn结的制备与表征方法 | 第17-31页 |
| ·纳米线pn结的制备 | 第17-22页 |
| ·蒸发(或溶解)冷凝法 | 第17-19页 |
| ·气相(或溶液)-液相-固相(VLS或SLS)生长法 | 第19-22页 |
| ·金属有机化学气相沉积外延技术 | 第22-23页 |
| ·纳米线pn结的表征方法和测试技术 | 第23-29页 |
| ·结构表征 | 第23-26页 |
| ·化学表征 | 第26-27页 |
| ·物理性能的表征 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 GaAs纳米线pn结理论研究 | 第31-46页 |
| ·纳米线pn结理论研究现状 | 第31-33页 |
| ·纳米线pn结理论研究方法 | 第33-39页 |
| ·基本方程 | 第34-35页 |
| ·数值求解方法 | 第35页 |
| ·物理模型 | 第35-38页 |
| ·本论文采用的器件结构和参数 | 第38-39页 |
| ·纳米线pn结各因素对其电学特性的影响 | 第39-44页 |
| ·纳米线的平均生长密度 | 第39-41页 |
| ·纳米线的直径 | 第41-42页 |
| ·纳米线的掺杂浓度 | 第42-43页 |
| ·纳米线的长度 | 第43页 |
| ·纳米线pn结与层状pn结电学特性的比较 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章 GaAs纳米线pn结实验研究 | 第46-60页 |
| ·国外GaAs纳米线pn结研究现状 | 第46-53页 |
| ·径向GaAs纳米线pn结 | 第46-48页 |
| ·轴向GaAs纳米线pn结 | 第48-53页 |
| ·衬底-纳米线型GaAs纳米线pn结 | 第53页 |
| ·生长实验方案 | 第53-54页 |
| ·生长实验结果及分析 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 附录 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第64页 |