氘氚中子发生器脉冲束线与中子能谱测量关键技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-33页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·氘氚中子发生器用途 | 第15-22页 |
| ·理论研究 | 第15-19页 |
| ·应用研究 | 第19-22页 |
| ·氘氚中子发生器发展概况 | 第22-31页 |
| ·紧凑中子发生器 | 第25-29页 |
| ·高压倍加型中子发生器 | 第29-31页 |
| ·研究目标与研究内容 | 第31-33页 |
| 第二章 氘氚中子发生器脉冲束线设计理论与方法 | 第33-44页 |
| ·脉冲束线简介 | 第33-34页 |
| ·束流传输系统 | 第33-34页 |
| ·脉冲化装置 | 第34页 |
| ·束流传输系统设计方法 | 第34-37页 |
| ·关键元件设计原理 | 第34-36页 |
| ·束流传输理论简介 | 第36-37页 |
| ·脉冲化装置设计方法 | 第37-43页 |
| ·切割器设计方法 | 第37-39页 |
| ·聚束器设计方法 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 HINEG脉冲束线物理设计 | 第44-60页 |
| ·总体设计 | 第44-45页 |
| ·束流传输系统设计 | 第45-48页 |
| ·束流光学计算 | 第45-46页 |
| ·分析与讨论 | 第46-48页 |
| ·脉冲化装置设计 | 第48-59页 |
| ·切割器设计、分析与优化 | 第48-52页 |
| ·聚束器设计、分析与优化 | 第52-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第四章 HINEG源中子分析 | 第60-82页 |
| ·源中子分析简介 | 第60-63页 |
| ·基本原理 | 第60-62页 |
| ·方法概况 | 第62-63页 |
| ·参数获取与评估 | 第63-67页 |
| ·靶数据 | 第64-65页 |
| ·截面数据 | 第65-66页 |
| ·到靶束流参数 | 第66页 |
| ·参数评估 | 第66-67页 |
| ·氚浓度深度分布对源中子影响及其获取方法 | 第67-75页 |
| ·氚浓度深度分布对源中子的影响 | 第67-70页 |
| ·氚浓度深度分布的获取 | 第70-75页 |
| ·HINEG源中子分析结果 | 第75-80页 |
| ·T(d,n)~4He源中子分析 | 第75-78页 |
| ·D(d,n)~3He源中子分析 | 第78-80页 |
| ·到靶束流参数与源中子分析 | 第80页 |
| ·总结 | 第80-82页 |
| 第五章 中子能谱测量中关键技术与方法研究 | 第82-102页 |
| ·中子能谱测量系统概述 | 第82-83页 |
| ·中子飞行时间测量系统设计与刻度 | 第83-87页 |
| ·基本原理 | 第83页 |
| ·设计方案 | 第83-84页 |
| ·实验刻度 | 第84-87页 |
| ·Bonner多球谱仪设计 | 第87-93页 |
| ·基本原理 | 第87-88页 |
| ·基于奇异值分解的设计方案定性评估 | 第88-90页 |
| ·基于信息熵理论的设计方案定量评估 | 第90-93页 |
| ·中子能谱反卷积算法研究 | 第93-101页 |
| ·算法现状 | 第93-94页 |
| ·基于单输出神经网络的反卷积算法 | 第94-95页 |
| ·算法验证 | 第95-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 第六章 总结与展望 | 第102-104页 |
| ·总结 | 第102-103页 |
| ·论文特色与创新点 | 第103页 |
| ·展望 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-111页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113页 |
