| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-26页 |
| ·半导体光催化技术概述 | 第11-17页 |
| ·SOFC 概述 | 第17-23页 |
| ·研究内容和意义 | 第23-26页 |
| 2 计算方法 | 第26-41页 |
| ·计算材料学简介 | 第26-27页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第27-38页 |
| ·常用模拟软件 | 第38-41页 |
| 3 N、Fe 共掺杂对 TiO_2电子结构和光吸收能力的影响 | 第41-52页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·计算模型和方法 | 第42-44页 |
| ·结果和讨论 | 第44-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 4 N、S 共掺杂 TiO_2的电子结构和光吸收能力 | 第52-65页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·计算模型和方法 | 第52-54页 |
| ·计算结果和讨论 | 第54-60页 |
| ·实验验证 | 第60-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 5 N、C 共掺杂以及掺杂浓度对 TiO_2电子结构的影响 | 第65-84页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·计算模型和方法 | 第65-67页 |
| ·C、N 共掺杂 TiO_2的电子结构 | 第67-74页 |
| ·不同浓度 N 掺杂 TiO_2的电子结构 | 第74-78页 |
| ·不同浓度 C 掺杂 TiO_2的电子结构 | 第78-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 6 C、S 原子在 SOFC 阳极 Ni-Cu 合金（111）表面的吸附 | 第84-98页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·计算模型和方法 | 第84-88页 |
| ·C 原子在合金表面的吸附 | 第88-93页 |
| ·S 原子在合金表面的吸附 | 第93-96页 |
| ·本章小结 | 第96-98页 |
| 7 全文总结 | 第98-100页 |
| ·全文主要结论 | 第98-99页 |
| ·论文的创新之处 | 第99页 |
| ·展望 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-112页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 | 第112页 |
