| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-33页 |
| ·课题背景 | 第10-11页 |
| ·气敏传感器概述 | 第11-17页 |
| ·多孔硅 | 第11-13页 |
| ·金属颗粒 | 第13-14页 |
| ·金属半导体氧化物 | 第14-17页 |
| ·金属氧化物半导体传感器概述 | 第17-25页 |
| ·分类 | 第17页 |
| ·气敏传感器构造 | 第17-18页 |
| ·发展历史 | 第18-19页 |
| ·研究进展 | 第19-25页 |
| ·TiO_2气敏性能研究进展 | 第25-32页 |
| ·结构与性质 | 第25-27页 |
| ·气敏性能研究进展 | 第27-32页 |
| ·本文的研究内容 | 第32-33页 |
| 第2章 实验方法与分析测试方法 | 第33-41页 |
| ·实验材料和设备 | 第33-36页 |
| ·主要材料 | 第33-34页 |
| ·主要设备 | 第34-36页 |
| ·材料分析方法 | 第36-39页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD） | 第36页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第36-37页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第37页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第37页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第37页 |
| ·电化学阻抗（EIS） | 第37-38页 |
| ·Mott-Schottky 分析 | 第38页 |
| ·紫外-可见光透射分析（UV-Vis） | 第38页 |
| ·I-V 分析 | 第38-39页 |
| ·气敏传感器样品的制备及性能测试 | 第39-41页 |
| ·传感器样品的制备 | 第39页 |
| ·气敏性能测试 | 第39-41页 |
| 第3章 微弧氧化法制备 TiO_2多孔薄膜及其气敏性能 | 第41-73页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·TiO_2薄膜的制备及表征 | 第41-45页 |
| ·基片清洗 | 第41-42页 |
| ·工艺参数 | 第42-44页 |
| ·XPS 分析 | 第44-45页 |
| ·微弧氧化法成膜原理 | 第45-47页 |
| ·TiO_2薄膜的气敏性能 | 第47-48页 |
| ·氢气浓度的影响 | 第47页 |
| ·测试温度的影响 | 第47-48页 |
| ·气敏原理 | 第48-52页 |
| ·I-V 曲线分析 | 第48-49页 |
| ·阻抗分析 | 第49-51页 |
| ·气敏机理模型 | 第51-52页 |
| ·金属离子掺杂 TiO_2薄膜的制备及气敏性能 | 第52-65页 |
| ·W6+掺杂 | 第52-57页 |
| ·Fe3+掺杂 | 第57-64页 |
| ·掺杂对气敏性能的影响分析 | 第64-65页 |
| ·微弧氧化法制备的 TiO_2薄膜的表面改性及其气敏性能 | 第65-72页 |
| ·改性工艺 | 第65-67页 |
| ·碱处理时间对表面改性的影响 | 第67页 |
| ·热处理温度对表面改性的影响 | 第67-70页 |
| ·改性原理 | 第70-71页 |
| ·气敏性能 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第4章 液相沉积法制备纳米 TiO_2薄膜及其气敏性能 | 第73-88页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·TiO_2薄膜的制备 | 第73-76页 |
| ·制备流程 | 第73-74页 |
| ·工艺参数的选择 | 第74-76页 |
| ·TiO_2薄膜结构和形貌的表征 | 第76-83页 |
| ·XRD | 第76-77页 |
| ·SEM | 第77-78页 |
| ·AFM | 第78-80页 |
| ·TEM | 第80-81页 |
| ·UV-vis | 第81-83页 |
| ·液相沉积法的成膜过程 | 第83页 |
| ·TiO_2薄膜的气敏性能 | 第83-87页 |
| ·测试温度对气敏性能的影响 | 第83-85页 |
| ·沉积温度对气敏性能的影响 | 第85-86页 |
| ·沉积时间对气敏性能的影响 | 第86-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第5章 阳极氧化法制备 TiO_2纳米管阵列及其气敏性能 | 第88-115页 |
| ·引言 | 第88-90页 |
| ·TiO_2纳米管阵列的制备及表征 | 第90-98页 |
| ·基片清洗 | 第90页 |
| ·电解液 | 第90-93页 |
| ·氧化时间 | 第93-94页 |
| ·氧化电压 | 第94-95页 |
| ·热处理温度 | 第95-98页 |
| ·阳极氧化法制备 TiO_2纳米管阵列原理 | 第98-100页 |
| ·TiO_2薄膜的气敏性能 | 第100-106页 |
| ·偏压的影响 | 第100-101页 |
| ·管长的影响 | 第101-102页 |
| ·温度的影响 | 第102-103页 |
| ·氢气浓度的影响 | 第103-105页 |
| ·金属电极的影响 | 第105-106页 |
| ·气敏原理 | 第106-114页 |
| ·I-V 曲线分析 | 第106-109页 |
| ·阻抗分析 | 第109-110页 |
| ·Mott-Schottky 分析 | 第110-113页 |
| ·气敏机理示意图 | 第113-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 第6章 结论 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-133页 |
| 致谢 | 第133-135页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第135-136页 |
