| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·III-V 族化合物半导体光学性质研究的意义及展望 | 第8-10页 |
| ·基础理论与计算方法及软件功能概述 | 第10-12页 |
| ·本文的研究内容和主要工作 | 第12-14页 |
| 2 半导体AlBi 的光学性质研究 | 第14-25页 |
| ·模型构建及计算方法 | 第16-17页 |
| ·AlBi 的电子态密度和能带 | 第17-19页 |
| ·AlBi 的光学性质 | 第19-25页 |
| 3 半导体LiCdX(X=N,P,As)的光学性质研究 | 第25-42页 |
| ·模型构建及计算方法 | 第26-27页 |
| ·LiCdX(X=N,P,As)的电子态密度和能带 | 第27-33页 |
| ·LiCdX(X=N,P,As)的光学性质 | 第33-42页 |
| 总结 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 附录 攻读硕士学位期间已发表或完成的论文目录 | 第49页 |