| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-12页 |
| ·ZnTe及其掺杂特性的研究背景及现状 | 第9-11页 |
| ·ZnTe及其掺杂特性的研究背景 | 第9-10页 |
| ·ZnTe及其掺杂特性的研究现状 | 第10-11页 |
| ·ZnTe及其掺杂特性的研究意义 | 第11-12页 |
| 第二章 电子结构计算的理论依据 | 第12-21页 |
| ·薛定谔方程及赝势法 | 第12-13页 |
| ·薛定谔方程 | 第12页 |
| ·赝势法 | 第12-13页 |
| ·密度泛函理论和广义梯度近似 | 第13-15页 |
| ·密度泛函理论 | 第13-14页 |
| ·广义梯度近似 | 第14-15页 |
| ·迭代法的一般形式及其收敛性 | 第15-16页 |
| ·快速傅里叶变换 | 第16-21页 |
| ·周期函数的三角插值 | 第17-18页 |
| ·快速傅里叶变换 | 第18-21页 |
| 第三章 理想ZnTe电子结构及电学性质 | 第21-25页 |
| ·计算模型与计算方法 | 第21-22页 |
| ·计算模型 | 第21页 |
| ·计算方法 | 第21-22页 |
| ·结果与分析 | 第22-25页 |
| ·能带结构与有效质量 | 第22-23页 |
| ·电子态密度与载流子浓度 | 第23-25页 |
| 第四章 Gd、Y、La掺杂ZnTe电子结构及电学性质 | 第25-32页 |
| ·计算模型与计算方法 | 第25-26页 |
| ·计算模型 | 第25页 |
| ·计算方法 | 第25-26页 |
| ·结果与分析 | 第26-32页 |
| ·晶格常数与晶格失配 | 第26页 |
| ·能带结构与有效质量 | 第26-29页 |
| ·电子态密度与载流子浓度 | 第29-32页 |
| 第五章 Nd掺杂ZnTe电子结构及电学性质 | 第32-48页 |
| ·计算模型与计算方法 | 第32页 |
| ·计算模型 | 第32页 |
| ·计算方法 | 第32页 |
| ·计算结果与分析 | 第32-39页 |
| ·晶格常数与晶格失配 | 第32页 |
| ·能带结构与有效质量 | 第32-35页 |
| ·电子态密度 | 第35-39页 |
| ·ZnTe及Nd掺杂ZnTe薄膜制备 | 第39-40页 |
| ·制备方法 | 第39页 |
| ·热处理方法 | 第39-40页 |
| ·样品测试 | 第40-41页 |
| ·XPS测试 | 第40页 |
| ·霍尔效应测试 | 第40-41页 |
| ·实验结果与分析 | 第41-48页 |
| ·XPS能谱 | 第41-47页 |
| ·霍尔效应 | 第47-48页 |
| 第六章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第54页 |